Os dispositivos semicondutores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) são amplamente utilizados como chaves eletrônicas em conversores e inversores de potência, pois permitem o controle de grandes correntes com sinal de comando de baixa potência.
Com base na estrutura física e no princípio de operação desses dispositivos, analise as afirmativas a seguir:

I. Tanto o IGBT quanto o MOSFET são dispositivos controlados por tensão aplicada ao gate, com elevada impedância de entrada devido à presença da camada isolante de dióxido de silício, SiO₂.
II. No MOSFET, a condução é realizada apenas por portadores majoritários, elétrons, enquanto no IGBT há injeção de portadores minoritários.
III. O IGBT apresenta queda de tensão de condução praticamente constante (V_CE(sat) ), enquanto o MOSFET possui comportamento resistivo, com perdas proporcionais a I ²R_DS(on) .

É correto o que se afirma em