“Em muitas aplicações para detectores, o uso de um meio de detecção sólido é de grande vantagem. Para medir elétrons de alta energia ou raios gama, as dimensões do detector podem ser bem menores que o equivalente detector gasoso, pois o meio sólido possui densidade, aproximadamente, 1.000 vezes maior que o gás. Equipamentos utilizando semicondutores como meio de detecção tornaram-se disponíveis a partir dos anos 1960.”
“Em um semicondutor do tipo _______________ todos os elétrons na banda de condução e todas as lacunas na banda de valência seriam consequência da excitação térmica (na ausência da radiação ionizante). Neste caso, o número de elétrons na banda de condução é sempre igual ao número de lacunas na banda de valência. Um segundo tipo de semicondutor, uma pequena concentração de impureza pentavalente é adicionada intencionalmente, ao silício tetravalente. O átomo da impureza irá ocupar um sítio substitucional da rede cristalina. Este semicondutor é denominado _______________. Por fim, um terceiro tipo de semicondutor, é caracterizado pela incorporação de um elemento trivalente na rede tetravalente, de forma que ele possui menos um elétron de valência que o restante da rede. Este semicondutor denomina-se _______________.” Assinale a alternativa que completa correta e sequencialmente a afirmativa anterior.
