Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 μm x 10 μm. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 10¹⁹ cm^-3, na base é igual a 10¹⁸ cm^-3 e no coletor é igual a 10¹⁵ cm^-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos n_i = 10¹⁰ cm-³. Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 μm e a constante de difusão é igual a 20 cm2/s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 μm e a constante de difusão é igual a 1,8 cm²/s. Supondo que largura da base é igual a 2 μm, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10^-19 C)

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