Magna Concursos

Foram encontradas 680 questões.

3079850 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.

Enunciado 3349470-1

Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.

Idealmente a célula fotovoltaica deve ser construída com silício 100% puro, já que qualquer impureza pode introduzir níveis de energia indesejados nas bandas do sistema, atrapalhando o fluxo de corrente.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079849 Ano: 2024
Disciplina: Eletroeletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.

Enunciado 3349469-1

Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.

No plano xOy, a curva característica de corrente (eixo-x) versus tensão (eixo-y) em uma célula fotovoltaica ideal como a do modelo apresentado é representada por uma função com exatamente duas raízes reais

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079848 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.

Enunciado 3349468-1

Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.

No circuito apresentado, a queda de tensão nos terminais da carga resistiva R_L pode ser expressa por

Enunciado 3349468-2

em que i_0 é a corrente de saturação reversa, n é o fator de idealidade do diodo, k é a constante de Boltzmann, T é a temperatura e q é a carga do elétron.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079847 Ano: 2024
Disciplina: Física
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.

Enunciado 3349467-1

Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.

Em uma célula fotovoltaica de silício, a luz deve atingir a região de depleção para que, após a fotogeração do éxciton, elétrons e buracos tendam a migrar e serem coletados pelos eletrodos antes de uma eventual recombinação, que ocorreria com maior probabilidade nas regiões n e p.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079846 Ano: 2024
Disciplina: Eletroeletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.

Enunciado 3349466-1

Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.

Um dispositivo fotovoltaico deve ter ao menos um terminal de entrada que permita a passagem de luz.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079845 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

O estado da arte da fotônica em silício permite a concepção de circuitos integrados fotônicos que funcionem em ambientes de altas temperaturas, razão por que lasers de altíssima potência são baseados nessa tecnologia.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079844 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

Um passo importante para o desenvolvimento de um circuito integrado fotônico foi a integração de uma junção p-n a um guia de onda, criando-se um modulador de fase.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079843 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

O especial interesse em utilizar-se silício em fotônica decorre da transparência do material para o espectro visível, o que permite a concepção de sistemas que aliem transporte de carga e de radiação com eficiência.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079842 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

Um dos desafios para o desenvolvimento da fotônica em silício é a dispersão de luz no material.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3079841 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

Uma das desvantagens da fotônica em silício é sua restrição ao regime de baixas e médias frequências, de até 10 KHz, o que torna limitada a perspectiva de aplicação do campo em telecomunicações.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas