No processo de produção e construção de dispositivos semicondutores, uma das formas de dopagem é realizada com a introdução de impurezas trivalentes a um semicondutor intrínseco.

Nesse caso, o número de elétrons da camada de valência da impureza introduzida, o tipo de material dopado obtido e o portador majoritário de cargas criado nesse material são, respectivamente,