A figura ilustra um material dopado do tipo N; onde ao se atingir a energia necessária de condução, os elétrons transitam da banda de condução para a banda de valência.

A figura ilustra um material dopado do tipo N, pois temos alguns átomos de Antimônio, que têm 5 elétrons na última camada, o que gera uma sobra de elétrons, resultando num material dopado do tipo N.

A figura representa um semicondutor intrínseco, onde o número de elétrons é diferente do número de lacunas, e por isso não tem corrente para fora do material.

A figura mostra uma dopagem com materiais com três elétrons na última camada, combinados com o Si, gerando lacunas, formando um material do tipo N.

A figura ilustra um material semicondutor extrínseco, onde há dopantes (impurezas) adicionados de forma controlada em um semicondutor intrínseco para igualar o número de elétrons ao número de lacunas do material.