Prova Completa: Professor PEBTT - Engenharia Eletrônica (IF-PR - UFPR

2730270 Ano: 2023
Disciplina: Direito Educacional e Tecnológico
Banca: UFPR
Orgão: IF-PR

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Professor PEBTT - Administração
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Professor PEBTT - Agronomia
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Professor PEBTT - Automação Industrial
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Professor PEBTT - Biologia
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Professor PEBTT - Comércio Exterior
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Professor PEBTT - Contabilidade
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Professor PEBTT - Economia
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Professor PEBTT - Educação Física
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Professor PEBTT - Engenharia Ambiental
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Professor PEBTT - Engenharia de Materiais
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Professor PEBTT - Engenharia Elétrica
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Professor PEBTT - Engenharia Eletrônica
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Professor PEBTT - Espanhol
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Professor PEBTT - Física
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Professor PEBTT - Geografia
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Professor PEBTT - Informática
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Professor PEBTT - Inglês
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Professor PEBTT - Libras
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Professor PEBTT - Matemática
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Professor PEBTT - Medicina Veterinária/Aquicultura
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Professor PEBTT - Odontologia
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Professor PEBTT - Pedagogia
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Professor PEBTT - Português
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Professor PEBTT - Produção de Áudio e Vídeo
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Professor PEBTT - Prótese Dentária
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Professor PEBTT - Química
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Professor PEBTT - Tecnologia de Alimentos
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Professor PEBTT - TI/Redes
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Professor PEBTT - Zootecnia
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Universidades e Institutos FederaisInstitutos FederaisIFPR: Instituto Federal do Paraná

Acerca do histórico e do perfil institucional do IFPR, conforme consta do Plano de Desenvolvimento Institucional do IFPR, é correto afirmar que o IFPR:

A

tem origem na Escola Técnica da Universidade Federal do Paraná (ET-UFPR), que, por sua vez, era mantida pela Faculdade de Engenharia dessa Universidade.

B

foi criado em 2012, possui estrutura de campus único, contando com polos de ensino a distância em todas as mesorregiões do Paraná.

C

é resultante da transformação do Centro Federal de Educação Tecnológica do Paraná (CEFET-PR) em Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia.

D

é uma instituição pública e gratuita, de educação básica profissional e superior, que faz parte da Rede Federal de Ensino Superior.

E

possui natureza jurídica de autarquia, detentora de autonomia administrativa, patrimonial, financeira, didático-pedagógica e disciplinar, vinculado ao Ministério da Educação.

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2730127 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFPR
Orgão: IF-PR

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Professor PEBTT - Engenharia Eletrônica
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Sobre a física dos semicondutores e sobre a figura a seguir, é correto afirmar:

Enunciado 3461322-1

A

A figura ilustra um material dopado do tipo N; onde ao se atingir a energia necessária de condução, os elétrons transitam da banda de condução para a banda de valência.

B

A figura ilustra um material dopado do tipo N, pois temos alguns átomos de Antimônio, que têm 5 elétrons na última camada, o que gera uma sobra de elétrons, resultando num material dopado do tipo N.

C

A figura representa um semicondutor intrínseco, onde o número de elétrons é diferente do número de lacunas, e por isso não tem corrente para fora do material.

D

A figura mostra uma dopagem com materiais com três elétrons na última camada, combinados com o Si, gerando lacunas, formando um material do tipo N.

E

A figura ilustra um material semicondutor extrínseco, onde há dopantes (impurezas) adicionados de forma controlada em um semicondutor intrínseco para igualar o número de elétrons ao número de lacunas do material.

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2730126 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFPR
Orgão: IF-PR

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Desejamos projetar um filtro FIR que respeite a seguinte máscara de filtragem:

$ 0,99 < |H(e^{jω})| < 1,01 $ $ 0\le|ω|\le0,03π $

$ |H(e^{jω})| \le 0,01 $ $ 0,32π\le|ω|\leπ $

Considere a tabela a seguir com dados dos diferentes tipos de janela para projetos de filtros FIR. Considere a banda de transição equivalente à largura do lóbulo principal da janela. Assinale a alternativa correta.

Tipos de janela	Amplitude do pico do lóbulo lateral (relativa) (dB)	Largura aproximada do lóbulo principal	Pico do erro de aproximação, $ 20log_{10}\delta $.(dB)
Retangular	-13	4 $ π $⁄(M + 1)	-21
Barlett	-25	8 $ π $⁄(M)	-25
Hann	-31	8 $ π $⁄(M)	-44
Hamming	-41	8 $ π $⁄(M)	-53
Blackman	-57	12 $ π $⁄(M)	-74

A

A janela do tipo de Barlett respeita as condições na banda de passagem e na banda de rejeição definidas pela máscara de filtragem, e a ordem mínima para o filtro que respeita a máscara especificada é 400.

B

Considerando somente as restrições de rejeição fora da banda, as máscaras de Hann, Hamming e Blackman podem ser aplicadas para a máscara especificada.

C

As janelas que respeitam a máscara de filtragem são a Hamming com ordem 400 e Blackman com ordem 600, sendo o nível de restrição do erro (ripple) dentro da banda o mesmo para a rejeição fora da banda.

D

Considerando somente as restrições de erro (ripple) dentro da banda, da tabela apresentada, somente as máscaras de Hamming e Blackman podem ser aplicadas para a máscara especificada.

E

As janelas que respeitam a máscara de filtragem são a Hann com ordem 400 e Hamming com ordem 400, sendo o nível de restrição do erro (ripple) dentro da banda o mesmo para a rejeição fora da banda.

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2730125 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFPR
Orgão: IF-PR

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Sobre IoT, é correto afirmar:

A

O protocolo IPv6 não pode ser aplicado para IoT, pois tem um endereçamento de 64-bits, incompatível com microcontroladores de 32-bits.

B

O protocolo MQTT (do inglês Message Queue Telemetry Transport) ainda não é muito difundido em aplicações em IoT, por ser um protocolo de pesado processamento, não sendo compatível para dispositivos microcontrolados, de baixo custo.

C

A difusão massiva da IoT cria uma sobrecarga no uso do espectro de frequências licenciadas, sendo que a grande maioria dos dispositivos na ponta estão na rede através de conexões sem fio, de alta taxa de transmissão, baseadas em redes celulares.

D

Da natureza intrínseca das conexões de sensores à rede, a taxa de dados por sensor geralmente é baixa, sendo essa limitada pelo cenário de propagação: grandes alcances de propagação têm baixa taxa de transmissão, como no protocolo LoRa; ao passo que em regiões de forte urbanização, redes de dados móveis e Wi-Fi proporcionam maiores taxas de transmissão com redes comumente mais compactas.

E

O processamento na ponta (do inglês Edge computing) permite que os dispositivos reduzam o peso de processamento nos servidores, porém aumentam o tráfego de dados na rede.

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2730124 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFPR
Orgão: IF-PR

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Considere um sistema embarcado baseado em Arduíno e programação via IDE do Arduíno. A função tone faz parte do elenco de bibliotecas para Arduíno e gera, em uma saída em PWM de 8 bits, um cosseno cuja frequência desejada é o primeiro parâmetro de entrada, durante um tempo em ms definido pela segunda entrada. A função map também faz do elenco de bibliotecas para Arduíno e segue no código, por conveniência. Para o circuito e código descrito a seguir, assinale a alternativa correta.

A

Trata-se de um circuito que contém um divisor resistivo implementado pelo potenciômetro, cuja tensão é convertida pelo ADC do microcontrolador, sendo um ADC de 10 bits, então o inteiro é traduzido para um outro inteiro, mapeado, de 0 a 1023, que representa a amplitude do sinal no buzzer.
Alternativa 1-1

B

A frequência reproduzida no buzzer é inversamente proporcional à leitura feita no ADC, de forma que a menor tensão gera uma frequência de 511 Hz na saída.

C

O circuito traduz a posição do potenciômetro em uma frequência para o buzzer, e a posição do potenciômetro indicada na figura representa um sinal com frequência de 511 Hz para o buzzer.

D

A frequência reproduzida no buzzer é diretamente proporcional à leitura feita no ADC, de forma que a menor tensão gera uma frequência de 0 Hz na saída.

E

O circuito traduz a posição do potenciômetro em uma amplitude para o buzzer, e a posição do potenciômetro indicada na figura representa um sinal com amplitude de 5 V (RMS) no buzzer.

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2730123 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFPR
Orgão: IF-PR

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A respeito dos sistemas com microprocessadores, assinale a alternativa correta.

A

Em um microprocessador de arquitetura do tipo Harvard, existe uma unidade de memória cache dedicada para as instruções, e uma para os dados, o que permite acessos paralelos à memória de instrução e de dados.

B

Uma CPU (do inglês Central Processing Unit) tem a função de executar programas armazenados na memória secundária buscando suas instruções, examinando-as e então executando-as uma após a outra.

C

A estratégia de pipeline na execução das instruções permitiu que as instruções sejam executadas em série, ainda que acelere o tempo de execução.

D

Um computador com 4 slots para memórias DIMM, 16 chips de 256 MB, por placa, pode chegar a ter 8 GB de memória ROM instalada.

E

As memórias do tipo ROM são usadas para armazenar dados e informações que não mudam durante as operações normais de um sistema, e estes são perdidos quando a energia elétrica é desligada.

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2730122 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFPR
Orgão: IF-PR

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´Considere as seguintes informações sobre o sensor de temperatura termistor NTC:

O termistor NTC segue a relação de resistência por temperatura da figura a seguir:

Enunciado 4001581-1

Considere ainda o circuito de medição da figura a seguir, composto por um resistor de linearização:

Enunciado 4001581-2

Para o NTC linearizado, temos as seguintes relações:

$ R_t=R_0e^{(\dfrac{B}{T}-\dfrac{B}{T_0})} $ $ R_{lin} = R_{T_C}\dfrac{B-2T_C}{B+2T_C} $ $ \dfrac{dR_T}{dT}=\dfrac{-B⋅R_T}{T^2} $ $ \dfrac{dRp}{dT} = \dfrac{R^2-{lin}}{(R_{lin}+R_T)^2} $ $ \dfrac{dR_T}{dT} $

Considerando as informações apresentadas, assinale a alternativa correta.

A

Nesse caso, o NTC (Negative Temperature Coefficient) tem uma resposta exponencial, inversamente proporcional à temperatura, enquanto o NTC sozinho, à T = 36 ºC, apresenta uma resistência de 2 KΩ.

B

O coeficiente exponencial do sensor é de !$ \dfrac{ln(\dfrac{1000}{5000})}{(\dfrac{1}{298}-\dfrac{1}{348})} !$ [K].

C

Para operar entre 25 ºC e 75 ºC, !$ R_{Tc} !$ 40 !$ Ω !$, assim a construção da resistência de linearização é de 1 K!$ Ω !$.

D

O coeficiente exponencial do sensor é de !$ \dfrac{ln(\dfrac{5000}{1000})}{(\dfrac{1}{298}-\dfrac{1}{348})} !$ [K].

E

O resistor de linearização é de 2 K!$ Ω !$ ao considerar a resistência central em T = 40 ºC, enquanto a resistência equivalente em paralelo fica em RP = 3 K!$ Ω !$ para T = 40 ºC.

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2730121 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFPR
Orgão: IF-PR

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O texto a seguir é referência para a questão. Considere o seguinte modelo para o BJT:
Para NPN: - junção base-emissor (JBE): em bloqueio se VBE ≤ 0,7 V; em condução, assumir VBE = 0,7 V. - junção base-coletor (JBC): em bloqueio se VBC ≤ 0,5 V; em condução, assumir VBC = 0,5 V. - para BJT em modo ativo (ou seja, JBE em condução e JBC em bloqueio), assumir IC = βIB. - para BJT em saturação (ou seja, ambas JBE e JBC em condução e 0 ≤ IC/IB ≤ β), assumir VCE = 0,2 V. - para BJT em corte (ou seja, ambas JBE e JBC em bloqueio), assumir IB = 0 e IC = 0.
Para PNP: - junção emissor-base (JEB): em bloqueio se VEB ≤ 0,7 V; em condução, assumir VEB = 0,7 V. - junção coletor-base (JCB): em bloqueio se VCB ≤ 0,5 V; em condução, assumir VCB = 0,5 V. - para BJT em modo ativo (ou seja, JEB em condução e JCB em bloqueio), assumir IC = βIB. - para BJT em saturação (ou seja, ambas JEB e JCB em condução e 0 ≤ IC/IB ≤ β), assumir VEC = 0,2 V. - para BJT em corte (ou seja, ambas JEB e JCB em bloqueio), assumir IB = 0 e IC = 0.

Considerando os circuitos (1) e (2) a seguir, e um b = 70, assinale a alternativa correta.
Enunciado 3461316-1

A

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +6 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação ativo; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +5 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ o transistor se encontra em modo de operação ativo.

B

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +4 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação ativo; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +5 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação ativo.

C

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +6 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação saturado; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +5 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ o transistor se encontra em modo de operação saturado.

D

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +4 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação saturado; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +2 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ o transistor se encontra em modo de operação ativo.

E

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +4 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação ativo; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +5 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ o transistor se encontra em modo de operação saturado.