A seguir é apresentado um arranjo de memória somente de leitura do tipo N-ROM. Esta faz uso de células implementadas por meio de um transistor NMOS arranjadas em linhas e colunas, sendo que as linhas representam uma palavra de dados e cada coluna contém um bit de uma das palavras de dados armazenadas.

Para esse arranjo as linhas de endereço são A0 e A1 e as de dados, D3, D2, D1 e D0, tal que A1 e D3 sejam os bits mais significativos para suas respectivas informações. O decodificador de endereços fornece +5V somente em sua saída ativa. Sobre essa memória, pode-se afirmar que: