Os transistores de efeito de campo (FET) são formados por duas camadas semicondutoras.

Os transistores bipolares de junção (TBJ) são dispositivos controlados por tensão.

Os transistores de efeito campo (FET) apresentam alta impedância de entrada.

Há três tipos disponíveis de MOSFETs: de depleção, de polarização reversa e de polarização direta.

Um MOSFET tem resistência de entrada típica da ordem de centenas de Ohms, inferior à resistência de um JFET, que é da ordem de megaohms.