Considere o transistor PMOS tipo enriquecimento com tensão de limiar \( V \)_{\( t \)} = −1 \( V \) e valor de \( k \)'_{\( p \)} (\( W \)/\( L \)) = 1 \( m \)A/\( V \)², mostrado no circuito abaixo. Qual o valor de resistência \( R \) para uma tensão V = +3 \( V \) e o maior valor de \( R \) para que o transistor se mantenha na região de saturação, respectivamente? Considere ainda a corrente I = 0,5 \( m \)A. Despreze qualquer efeito de modulação do comprimento do canal.