Circuitos integrados modernos, tanto analógicos quanto digitais, utilizam transistores de efeito de campo do tipo metal-óxidosemicondutor, denominados MOSFETs. A tecnologia CMOS explora o emprego simultâneo de MOSFETs de canal n (NMOS) e de MOSFETs de canal p (PMOS), tornando possível o uso de técnicas de projeto extremamente poderosas. Com respeito às etapas de fabricação de estruturas CMOS em circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Os processos de difusão e de implantação de íons são utilizados para introduzir impurezas no substrato de silício, estabelecendo regiões com concentrações bem definidas de dopantes para síntese de estruturas NMOS e PMOS. Para a obtenção de um perfil de impurezas mais acurado e reprodutível, o processo de difusão é preferível ao processo de implantação de íons.