Circuitos integrados modernos, tanto analógicos quanto digitais, utilizam transistores de efeito de campo do tipo metal-óxidosemicondutor, denominados MOSFETs. A tecnologia CMOS explora o emprego simultâneo de MOSFETs de canal n (NMOS) e de MOSFETs de canal p (PMOS), tornando possível o uso de técnicas de projeto extremamente poderosas. Com respeito às etapas de fabricação de estruturas CMOS em circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Na síntese de MOSFETs, normalmente são utilizadas lâminas de silício de alta pureza. Para a deposição do óxido sobre o substrato semicondutor, o único processo eficiente disponível atualmente é a oxidação em fornos especiais ultra-limpos e de alta temperatura (entre 1.000 ºC e 1.200 ºC).