tanto o TBJ tipo NPN quanto o MOSFET de canal tipo N possuem em sua estrutura duas regiões dopadas tipo N separadas por uma região dopada tipo P. A diferença entre seus modos de operação é que no caso do TBJ haverá a formação de um canal tipo N induzido, interligando as regiões tipo N, enquanto no MOSFET este fenômeno não ocorre.

a aplicação do TBJ como amplificador baseia-se no fato de que, no modo de saturação, este transistor atua como uma fonte de corrente controlada por tensão.

no MOSFET o aumento da tensão dreno-fonte acima da tensão de saturação leva ao fenômeno de modulação do comprimento do canal, causando o encurtamento do canal induzido.

para o TBJ, o efeito Early ocorre quando um aumento na tensão coletor-emissor leva a uma diminuição da tensão de polarização reversa sobre a junção. Esse fenômeno explica por que a corrente do coletor nunca varia com a tensão coletor-base na região ativa.

para amplificadores com transistor FET em altas frequências, não é necessário considerar as capacitâncias internas que estão associadas às junções PN reversamente polarizadas, visto que não causam interferências significativas no ganho.