A definição do padrão metálico sobre a superfície plana de um material semicondutor é feita, basicamente, por 2 (dois) métodos. Em um, o metal é primeiro depositado sobre a superfície do semicondutor e, posteriormente, corroído seletivamente utilizando-se técnicas fotolitográficas. No outro, a deposição do metal é seletiva. Esta última técnica é comumente chamada “lift off”. Esse processo é assim chamado, porque as partes da superfície nas quais não se deseja o metal são recobertas por fotoresiste, que será removido por meio do solvente adequado após a deposição do metal, levando consigo o metal que o recobre. A figura abaixo, ilustra esses 2 (dois) processos. Antes de se proceder a revelação, mergulha-se a amostra em solvente. Isso se destina a alterar o perfil vertical do fotoresiste nas bordas do padrão, facilitando o processo de “lift off”. Idealmente, a parte da camada do metal em contato com a superfície do semicondutor deve estar desconectada da camada sobre o fotoresiste que será retirada. Dentre os solventes que podem ser utilizados para este fim se destaca