Magna Concursos
2275793 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: VUNESP
Orgão: UFTM

Em um transistor FET, considere que !$ V_p !$ é a tensão de pinch-off, !$ I_{DS} !$ a corrente de saturação do dreno e !$ I_{DSS} !$ essa mesma corrente com o gate curto-circuitado à fonte !$ (V_{GS} = 0) !$. Nessas condições, o valor de !$ I_{DS} !$ é calculado por

 

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Técnico - Eletroeletrônica

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