Um transistor NMOS tipo enriquecimento, operando na região de saturação, com V_T = 0,7 V, tem seu terminal de fonte (Source) aterrado e uma tensão de 1,5 Vdc aplicada ao terminal da porta (Gate). Considerando, ainda, \( \mu_n \)C_ox = 80 \( \mu \)A/V², largura do canal igual a 35 \( \mu \)m e comprimento do canal igual a 3,5 \( \mu \)m, o valor da corrente de dreno é