Circuitos integrados modernos, tanto analógicos quanto digitais, utilizam transistores de efeito de campo do tipo metal-óxidosemicondutor, denominados MOSFETs. A tecnologia CMOS explora o emprego simultâneo de MOSFETs de canal n (NMOS) e de MOSFETs de canal p (PMOS), tornando possível o uso de técnicas de projeto extremamente poderosas. Com respeito às etapas de fabricação de estruturas CMOS em circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Camadas de silício policristalino, com características fortemente dopadas para constituição de regiões de alta condutividade, podem ser usadas para interconectar dispositivos em circuitos integrados CMOS. O processo de deposição de camadas de silício no próprio substrato de silício chama-se epitaxia.