Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que R_L=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que R_L=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

Caso a resistência de carga seja reduzida de 100 ohms para 50 ohms, a tensão de ondulação na tensão de saída irá se reduzir à metade.

Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.

No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.

Considerando-se uma barra metálica de comprimento L, área A, resistividade ρ e resistência R, se tanto o comprimento L quanto a área A dessa barra aumentarem em 10%, sem que haja mudança na resistividade, a resistência R dessa barra aumentará em 21%.