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- Banco de Dados RelacionalDependência Funcional
- Banco de Dados RelacionalNormalização3FN: Terceira Forma Normal
- Banco de Dados RelacionalTipos de ChavesChave Candidata
- Modelagem de DadosEntidadesEntidade Fraca
Considere as proposições abaixo a respeito de banco de dados.
I - Entidades fracas não podem ter quaisquer atributos-chaves. Por essa razão, são identificadas por estarem associadas a entidades específicas de um outro tipo de entidade em combinação com alguns de seus valores de atributos.
II - Os atributos de uma entidade que podem ser eleitos como chave primária são conhecidos como chaves-candidatas.
III - A terceira forma normal é baseada no conceito de dependência funcional.
IV - A DDL é utilizada pelo DBA e projetistas de base de dados para definir seus esquemas, enquanto que a DML é utilizada para realizar as manipulações.
Em relação às afirmativas acima, estão corretas:
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Assinale a alternativa que NÃO representa uma informação (input) para um sistema MRP (Planejamento das Necessidades dos Materiais).
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A técnica de montagem de chips (dies) por Solda de Fios (Wire Bonding) apresenta a seguinte vantagem quando comparada com a técnica de flip-chip:
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Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?
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Quais das opções abaixo não fazem parte de uma especificação de um “covergroup” em SystemVerilog?
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Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?
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As interações entre um feixe de íons incidente e uma amostra NÃO ocasionam
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A velocidade de propagação de um sinal em uma linha de transmissão depende de qual dos parâmetros abaixo?
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- Modelagem de DadosDiagrama Entidade-Relacionamento (DER)
- Modelagem de DadosFundamentos de Modelagem de Dados
Considerando a notação original proposta por Peter Chen para modelos de entidades e relacionamentos, assinale a alternativa que representa a forma geométrica de um relacionamento.
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Leia atentamente as afirmativas abaixo.
I – Em temperaturas inferiores à 580o C, os filmes de silício depositados são policristalinos.
II – A recristalização de filmes amorfos dá origem a estruturas fortemente texturizadas.
III – O tamanho de grão do polissilício oriundo da recristalização do filme de silício amorfo é menor que o tamanho do grão do filme de polissilício como depositado.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
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