Antes do uso, as lâminas de silício são limpas quimicamente para remover partículas e contaminações da superfície, assim como alguns vestígios de impurezas orgânicas, inorgânicas e metálicas. Um procedimento bastante utilizado é o SC1. Com relação a esse procedimento padrão, uma observação é feita: a solução não deve ser fervida. Essa observação tem o seguinte objetivo:

No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue.

I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas.

II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto.

III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.

Sobre as relações de operadores em SVA, pode-se afirmar que:

I. “a within b” é equivalente a “(1[*0:$] ##1 a ##1 1[*0:$]) intersect b”

II. “a ##2 b [*3]” é equivalente a “a ##2 b ##0 a ##2 b ##0 a ##2 b”

III. “a ##1 b [->2:10] ##1 c” é equivalente a “a ##1 ((1[*0:$] ##1 b) [*2:10]) ##1 c”

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

Um recinto tem cargas térmicas sensíveis e latentes valendo respectivamente 750.000 BTU/h e 250.000 BTU/h. O fator de calor sensível do recinto é

Com relação ao processo de recrutamento externo de pessoal, é correto afirmar que:

Para dois sinais de mesma frequência e defasados, ligados nas entradas de um osciloscópio, tem-se na tela desse equipamento uma elipse Lissajous conforme apresentado na figura abaixo. Assumir que a distância entre os pontos em que a elipse corta o eixo vertical é de 3 divisões e que a distância vertical entre os pontos máximos e mínimos da elipse é de 6 divisões.

Calcule a defasagem entre os dois sinais selecione a alternativa em que se expressa a resposta correta:

Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?

Abaixo são citadas algumas características e aplicações da técnica de feixes de íons focalizados. Assinale a alternativa que NÃO está relacionada a essa técnica.

Qual principal vantagem dos plasmas RF em comparação com plasmas DC?