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A construção de dispositivos para as tecnologias de informação baseia-se no aproveitamento racional das propriedades de materiais de interesse, com o intuito de realizar funções relevantes para esse setor. O conhecimento das propriedades dos materiais é, por conseguinte, aspecto fundamental das atividades relacionadas ao projeto e à realização desses dispositivos. Acerca desse assunto, julgue os itens a seguir, relativos às propriedades ópticas e térmicas de sólidos.
O GaAs é largamente utilizado na fabricação de dispositivos optoeletrônicos por ser um semicondutor de gap direto.
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A construção de dispositivos para as tecnologias de informação baseia-se no aproveitamento racional das propriedades de materiais de interesse, com o intuito de realizar funções relevantes para esse setor. O conhecimento das propriedades dos materiais é, por conseguinte, aspecto fundamental das atividades relacionadas ao projeto e à realização desses dispositivos. Acerca desse assunto, julgue os itens a seguir, relativos às propriedades ópticas e térmicas de sólidos.
O nitreto de silício, devido ao seu índice de refração, ao seu coeficiente de absorção de luz e à estabilidade de sua interface com o silício, tem sido utilizado na fabricação de guias de onda ópticos integrados.
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A construção de dispositivos para as tecnologias de informação baseia-se no aproveitamento racional das propriedades de materiais de interesse, com o intuito de realizar funções relevantes para esse setor. O conhecimento das propriedades dos materiais é, por conseguinte, aspecto fundamental das atividades relacionadas ao projeto e à realização desses dispositivos. Acerca desse assunto, julgue os itens a seguir, relativos às propriedades ópticas e térmicas de sólidos.
O emprego do cobre como material condutor em interconexões VLSI, em razão de sua elevada condutividade elétrica, trouxe novos desafios, associados à sua baixa resistência à eletromigração.
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O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.
O espalhamento de portadores de carga em um dispositivo eletrônico, provocado pelas interações com os átomos do meio por onde transitam, produz, além de flutuações de velocidade, ruído e dissipação de potência.
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O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.
Os efeitos multiplicativos presentes na ruptura por avalanche podem ser aproveitados na construção de fotodetetores rápidos.
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O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.
A corrente elétrica em transistores de efeito de campo é limitada, para campos elétricos de baixa intensidade, pela saturação de velocidade na região do canal.
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O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.
O mecanismo de transporte de carga elétrica por tunelamento adquire importância crescente nas tecnologias com alta densidade de integração, sendo mesmo um fator limitante para a redução das dimensões em tecnologias CMOS-VLSI.
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O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.
Os processos de recombinação de portadores são fundamentais para a comutação em dispositivos como os diodos de junção PN.
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O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.
O mecanismo de transporte predominante na região do canal de um transistor de efeito de campo é a difusão.
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Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.
As restrições dimensionais para as camadas de dielétricos intermetais em tecnologias VLSI, com múltiplos níveis de interconexão, podem ser minimizadas com o emprego de materiais dielétricos de alta permissividade.
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