Prova Completa: Técnico de Eletrotécnica (FHSTE-RS - OBJETIVA

2565236 Ano: 2019
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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Técnico de Eletrotécnica
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Álgebra Booleana e Circuitos Lógicos

Ao determinar a expressão característica do circuito da figura abaixo, assinalar a alternativa CORRETA:

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2565235 Ano: 2019
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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Técnico de Eletrotécnica
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TransistoresTransistor Junção Bipolar (TJB)

Sobre a eletrônica geral e transistores, analisar os itens abaixo:

I. As quatro regiões de operação distintas de um transistor são: a região ativa, a região de saturação, a região de corte e a região de ruptura. Quando usado como amplificador, ele opera na região ativa. Quando usado em circuitos digitais, ele opera nas regiões de saturação e corte. A região de ruptura é geralmente evitada, porque o transistor corre um risco muito alto de ser danificado.

II. Os transistores para montagem em superfície (SMTs) são encontrados com vários tipos de encapsulamento. Um encapsulamento comum é o tipo asa de gaivota com três terminais simples.

III. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave. A ação de chaveamento é entre o corte e a saturação. Esse tipo de operação é usado nos circuitos digitais. Outro nome para os circuitos de chaveamento é circuitos de dois estados.

IV. A polarização do emissor é praticamente livre das variações no ganho de corrente. O processo de análise da polarização do emissor é feito calculando-se a tensão no emissor, a corrente no emissor, a tensão no coletor e a tensão coletor-emissor.

Estão CORRETOS:

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2565234 Ano: 2019
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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Técnico de Eletrotécnica
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Sistemas de numeração

Converter o número 1D2_{(base 16)} do sistema hexadecimal para o sistema octal. Após, converter o número 7100_{(base 8)}do sistema octal para o sistema hexadecimal. As respostas corretas são, respectivamente:

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2565233 Ano: 2019
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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Técnico de Eletrotécnica
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Conceitos BásicosMateriais Elétricos

Sobre eletrônica geral e semicondutores, analisar os itens abaixo:

I. Um semicondutor é um elemento de valência quatro. Cada átomo de um cristal de silício tem oito elétrons em sua órbita de valência. Num cristal de silício puro, são criados iguais números de lacunas e de elétrons livres pela energia térmica. Os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. Ocasionalmente, um elétron livre se aproxima de uma lacuna, é atraído e capturado. Essa união de um elétron livre com uma lacuna é chamada recombinação.

II. O tempo entre a geração de um elétron livre e seu desaparecimento é chamado tempo de vida. Ele varia de alguns nanossegundos até vários microssegundos, dependendo da perfeição do cristal e de outros fatores.

III. Um semicondutor intrínseco é um semicondutor puro. Um cristal será um semicondutor intrínseco se todos os átomos do cristal forem de silício. Na temperatura ambiente, um cristal de silício comporta-se como um isolante aproximadamente.

IV. Uma forma de aumentar a condutibilidade de um semicondutor é pela dopagem. Isso significa adicionar impurezas aos átomos de um cristal intrínseco para alterar sua condutibilidade elétrica. Um semicondutor dopado é chamado semicondutor extrínseco.

V. Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de elétrons livres ou um excesso de lacunas. O silício que foi dopado com uma impureza pentavalente é chamado semicondutor tipo n. Um silício que foi dopado com uma impureza trivalente é chamado semicondutor tipo p.

Estão CORRETOS:

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2565232 Ano: 2019
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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Diodos (Retificador, Zener, Schottky, LED)

Sobre eletrônica geral e diodos, analisar os itens abaixo:

I. Os diodos têm tensões nominais máximas. Existe um limite do valor e tensão reversa que um diodo pode suportar antes de ser destruído. A tensão de ruptura de um diodo depende do nível de dopagem. Com os diodos retificadores, a tensão de ruptura é geralmente maior que 50V.

II. O diodo é um dispositivo não linear. Ele tem uma barreira de potencial produzida por camada de depleção. Acima da tensão de joelho, a corrente no diodo aumenta rapidamente. Uma vez vencida a barreira de potencial, tudo o que impede a corrente é a resistência das regiões p e n, que formam a chamada resistência de corpo do diodo.

III. A resistência de corpo do diodo depende do nível de dopagem e das dimensões das regiões p e n. Tipicamente, a resistência de corpo de um diodo retificador é menor que 1Ω. O diodo ideal funciona como uma chave que fecha quando diretamente polarizada e abre quando reversamente polarizada.

Estão CORRETOS:

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2565231 Ano: 2019
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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Conceitos BásicosCarga e Campo Elétrico

Se uma corrente de 2A passar através de um medidor durante 1 minuto, quantos Coulombs passam pelo medidor neste mesmo intervalo de tempo?

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2565230 Ano: 2019
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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Técnico de Eletrotécnica
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Circuitos de primeira e segunda ordem

O circuito abaixo já está ligado há um período de tempo muito longo. De acordo com as informações apresentadas, a corrente elétrica total é de, aproximadamente:

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2565229 Ano: 2019
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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NRsNR 12: Segurança no Trabalho em Máquinas e Equipamentos

De acordo com a NR 12, marcar C para os itens proibidos nas máquinas e equipamentos, E para os que não são proibidos e, após, assinalar a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

(---) A utilização de chave geral como dispositivo de partida e parada.

(---) A utilização de chaves tipo faca nos circuitos elétricos.

(---) A existência de partes energizadas expostas de circuitos que utilizam energia elétrica.

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2565228 Ano: 2019
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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NRsNR 12: Segurança no Trabalho em Máquinas e Equipamentos

Conforme a NR 12, os dispositivos de partida, acionamento e parada das máquinas devem ser projetados, selecionados e instalados de modo que:

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2565227 Ano: 2019
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS

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NRsNR 10: Segurança em Instalações e Serviços em Eletricidade

Em conformidade com a NR 10 - Segurança em instalações e serviços em eletricidade, com relação à segurança em instalações elétricas energizadas, analisar a sentença abaixo:

Sempre que inovações tecnológicas forem implementadas ou para a entrada em operações de novas instalações ou equipamentos elétricos, devem ser posteriormente elaboradas análises de risco, desenvolvidas com circuitos energizados, com os respectivos procedimentos de trabalho (1ª parte). O responsável pela execução do serviço deve suspender as atividades quando verificar situação ou condição de risco não prevista, cuja eliminação ou neutralização imediata não seja possível (2ª parte).

A sentença está: