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Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
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Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas.
( ) Baixa impedância de entrada.
( ) Maior imunidade a ruído.
( ) Menor estabilidade térmica.
( ) Fabricação relativamente simples.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
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O diagrama acima corresponde a qual fonte dependente?
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- Instalações ElétricasAterramentos
- Normas TécnicasNBRsNBR 5410: Instalações Elétricas de Baixa Tensão
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- EletromagnetismoElétricaEletricidade
- EletromagnetismoElétricaEletrodinâmica
- EletromagnetismoElétricaForça Elétrica, Campo Elétrico e Eletrização
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Coluna 1
1. 1012
2. 106
3. 10-9
4. 10-15
5. 10-12
Coluna 2
( ) p.
( ) f.
( ) T.
( ) n.
( ) M.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
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- Administração de MedicamentosCálculo de Solução e Medicamentos
- Administração de MedicamentosMedicação Endovenosa
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