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Foram encontradas 40 questões.

2390806 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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Observe a figura 15.
Enunciado 2737738-1
A representação gráfica da função de transferência corresponde ao transdutor
 

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2390625 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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Observe a figura 20.
Enunciado 2735150-1
É apresentado um sensor potenciométrico para a medição de deslocamento d, conectado a uma carga resistiva, por exemplo, um indicador. Sabendo que a resistência do potenciômetro varia linearmente com o deslocamento (assim, se x = d/dT é o deslocamento fracional, a correspondente resistência é Rpx, onde Rp é a resistência total do potenciômetro), a expressão da tensão na carga VL é
 

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2390177 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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Observe a figura 05.
Enunciado 2728214-1
Os valores para Vi e Rc, que levam o transistor do circuito da figura 05, com β = 100 e VBE = 0,7, à saturação são, respectivamente,
 

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2389940 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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Deseja-se calcular a potência dissipada por um resistor de 10 Ω ± 1% de dois modos diferentes P = V2/R e P = V.I. Sabendo que V = 100 V ± 1% e I = 10 A ± 1%, é correto afirmar que
 

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2389926 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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Observe a figura 02.
Enunciado 2724603-1
Considerando o circuito da figura 02, o valor da corrente “ID
 

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2389691 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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Um determinado transistor de efeito de campo NMOS, tipo enriquecimento, tem sua porta (gate) conectada diretamente à sua fonte (source). Nessa situação, ele está
 

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2389240 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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A medição de nível por métodos diretos utiliza, por exemplo,
 

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2389166 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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São razões que fazem da tecnologia CMOS a mais adequada para aplicações digitais:
I. Circuitos lógicos com dispositivos CMOS dissipam muito menos potência do que os com transistores bipolares de junção.
II. A alta impedância de entrada permite o uso do transistor MOS como meio para armazenamento temporário da informação.
III. Das famílias lógicas comercialmente disponíveis, atualmente é a mais rápida.
Estão corretas as afirmativas
 

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2388986 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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Observe a figura 10.
Enunciado 2708261-1
O esquemático da figura 10 representa um
 

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2388857 Ano: 2010
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SUL
Orgão: IF-SUL
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Observe a figura 16 para responder à questão.
Enunciado 2705686-1
T (°C) RT (Ω)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
7355
4422
2814
1815
1200
811
560
395
283
206
153
Sabendo que RT é um sensor usado para medir a temperatura de 0 a 100 °C (cuja tabela de calibração é mostrada acima) e que os amplificadores são ideais. Os valores aproximados de R2 e Rf para aproveitar a faixa dinâmica do conversor A/D entre 0 e 10 V são, respectivamente,
 

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