Texto para a questão.

A busca de novos compostos com potencial atividade tanto farmacológica quanto biológica tem despertado o interesse de pesquisadores para o desenvolvimento e a síntese de análogos de substâncias bio e farmacologicamente ativas mais potentes. Alguns fármacos utilizados pela população mundial, que são de uso clínico e comercialmente disponíveis possuem em sua estrutura molecular um sistema aromático. Entre esses fármacos, destacam-se os analgésicos paracetamol, fenacetina, ácido acetilsalicílico e o $-adrenérgico propranolol, cujas estruturas são apresentadas a seguir.

Com relação ao texto e ao tema nele tratado, assinale a opção correta

Em algumas situações, a deposição de filmes finos requer íons de baixa energia que incidam perpendicularmente no substrato. Acerca dessas situações, assinale a opção correta.

Um efeito importante decorrente da interação entre o plasma (íons, elétrons e partículas neutras) e o substrato é a ejeção de elétrons secundários. A respeito desse fenômeno, assinale a opção correta.

Acerca dos espalhamentos inelásticos de elétrons, assinale a opção correta.

Considerando o espalhamento elástico e inelástico dos elétrons, assinale a opção correta.

Texto para a questão

Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

O plasma é produzido à pressão atmosférica em alguns dos dispositivos desenvolvidos para a deposição de filmes finos. Com relação a esse assunto, assinale a opção correta.

Texto para a questão

Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

Com referência à deposição de filmes empregando-se o dispositivo denominado magnetron, assinale a opção correta.

Texto para a questão

Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

Dispositivos baseados em descargas de micro-ondas para a produção de plasmas são usados na deposição de filmes finos de diamante. Acerca dessa técnica, assinale a opção correta.

Texto para a questão

Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

Tendo como referência inicial o texto acima e considerando que cada processo de tratamento de superfície assistido por plasmas permite o crescimento de filmes com um determinado intervalo de espessuras, assinale a opção correta.

Em medidas de microscopia de tunelamento de varredura, é possível determinar a corrente de tunelamento I em função da posição da ponta de prova, mapear !$ { \large dI \over dV} !$ no espaço real e coletar o espectro de !$ { \large dI \over dV} !$ em função do potencial V aplicado. A respeito desse assunto, é correto afirmar que