O transistor MOS canal N aproxima-se de uma chave ideal nas aplicações digitais, mas degrada ligeiramente o nível lógico 0, ao passá-lo de fonte para dreno.

Em aplicações digitais, o transistor bipolar costuma ser usado nas regiões de corte e de saturação. A região ativa é evitada visando diminuir a dissipação de potência. A porta lógica ECL é uma exceção, onde se aceita um consumo mais alto de potência em favor de chaveamento mais rápido.

O baixo consumo de corrente na porta, principal vantagem dos FET, é uma característica que se nota especialmente quando o sinal conectado à porta é de alta freqüência.

Em FET, o terminal denominado porta (gate) fica eletricamente isolado do substrato.

O transistor MOS, base da tecnologia microeletrônica moderna, é um exemplo de transistor bipolar.

Do ponto de vista funcional, o BJT é uma chave eletrônica controlada por tensão, enquanto o FET é uma chave eletrônica controlada por corrente.

O termo bipolar, no BJT, refere-se ao fato de que tanto elétrons quanto lacunas contribuem para a corrente, o que não ocorre no FET.

Os comandos “ALTER”, “SELECT”, “INSERT”, “DELETE” e “UPDATE” são tipicamente usados em DML (data manipulation languages).

Os comandos “CREATE” e “DROP” são tipicamente usados em DDL (DATA DEFINITION LANGUAGES).

A invocação do método “repaint”, no método “addItem”, produz a invocação imediata do método “paint” sobre a instância do applet “Simple”.