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Na frequência f0, o módulo da impedância do capacitor C é igual ao módulo da impedância do resistor R.
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Na frequência f0, o valor esperado para o ganho de tensão é, na realidade, igual a -3 dB.
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O valor de x, no gráfico, é igual a - 6 dB.
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A frequência de corte desse sistema é igual a 100 rad/s.
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O sistema não possui zeros.
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O sistema é de primeira ordem.
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Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.
No controle de potência por PWM, a largura dos pulsos de chaveamento é modulada com o objetivo principal de reduzir o efeito de transitórios eletromagnéticos sobre a carga.Provas
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- Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
- Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
- Transistores
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.Provas
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Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.Provas
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Julgue os próximos itens, relativos à caracterização de circuitos e dispositivos lineares e passivos, que operam em micro-ondas.
A matriz espalhamento S equivalente da associação em cascata de dois dispositivos caracterizados, respectivamente, por suas matrizes espalhamento S1 e S2 é dada por S = S1 + S2.Provas
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