No circuito da Figura 12, os dispositivos !$ Q1, Q2, Q3 !$ e !$ Q4 !$ são IGBT e !$ NPWM = \overline{PWM} !$ em que PWM é um sinal modulado por largura de pulso com ciclo de trabalho D. A tensão média vista pela carga Z é dada por

A expressão booleana simplificada, utilizando portas ORs sobre o resultado de portas ANDs e inversores, do circuito digital da Figura 11 é:

Um determinado circuito é composto por um arranjo em série de um indutor de 30 mH, um capacitor de 20 !$ \mu F !$ e um resistor de 10 Ohms. A reatância deste circuito em 1000 rad/s é de:

Determine a relação entre a tensão de entrada (!$ V_I !$) e a tensão de saída (!$ V_0 !$) no circuito abaixo. Considere os componentes ideais.

Ao se aplicar a um determinado dipolo uma tensão !$ V 1 = 10 sen ( \omega t + 20^\circ ) V !$ , obtém-se uma corrente !$ I 1 = 2 cos ( \omega t - 30^\circ )A !$ .Pode-se modelar este dipolo como um:

Determine o valor da corrente I no circuito abaixo.

Considere:
Tensão de polarização do diodo de silício (Si) igual a 0,7 V;
Tensão de polarização do diodo de germânio (Ge) igual a 0,3 V.

No circuito da Figura 4, a corrente que atravessa o indutor L1 é nula. o valor da corrente fornecida pela fonte de 15 V é (os valores das resistências então em ohm):

A expressão !$ { \begin {pmatrix} \overline{ A \overline{B}} \end{pmatrix}} ( A + B + D) \overline{D} !$ é equivalente a:

Uma máquina combinacional recebe como entrada um número em BCD de três bits, !$ x_2 x_1x_0 !$, e seta a saída y, quando a entrada em BCD é um número primo. As entradas 000 (0) e 001 (1) nunca ocorrem. A expressão booleana com o menor número de portas, utilizando portas ORs sobre o resultado de portas ANDs e inversores, é:

A equação da corrente de dreno do MOSFET tipo N, na região de saturação, mostrado na Figura 8, é dada por !$ i_D = 0,5 (v_{GS} - 1)^2 mA/V^2 !$ . O valor de R1 para que a tensão média da saída do amplificador da Figura 8, VO, seja 7 V é: