Os tiristores possuem uma estrutura que envolve camadas de materiais semicondutores em uma sequência, a saber:
3 camadas, alternando material do tipo N, P e N.
3 camadas, alternando material do tipo P, N e P.
4 camadas, alternando material do tipo N e P.
4 camadas, sendo as duas primeiras do material do tipo N, e as duas seguintes do material do tipo P.
5 camadas, alternando material do tipo N (3) e P (2).
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