Há 3 (três) tipos de manutenção preventiva. Com base nisso, analise as afirmativas abaixo e marque CERTO (C) ou ERRADO (E) para cada uma delas.

( ) A manutenção preventiva baseada no tempo é destinada à detecção do início da falha ou do sintoma da falha.

( ) A manutenção preventiva baseada na condição é destinada a revelar falhas ocultas antes de uma demanda operacional.

( ) A manutenção preventiva de teste para descobrir a falha é destinada à prevenção ou postergação da falha.

A sequência correta é

Instrumentos de medida devem ser construídos e conectados no circuito de modo a não afetarem o sinal a ser medido. Qual das alternativas abaixo descreve como um multímetro digital deve ser construído e montado em um circuito de modo a medir a corrente que está passando?

Com relação ao Planejamento dos Recursos de Manufatura (MRPII), é correto afirmar que:

Em relação aos tipos de manutenção, analise as afirmativas abaixo

I – O melhor planejamento dos serviços é uma das razões que levam aos melhores resultados da Manutenção Corretiva Planejada.

II – A manutenção preventiva deve ser utilizada em sistemas complexos de operação contínua.

III – O trabalho em equipe é o fator crítico de sucesso da organização como um todo e da manutenção em particular.

Em relação aos itens acima, está correta a opção:

Num sistema de controle de estoque com demanda determinística e constante, sabe-se que o lote de compra do produto em estoque é igual a 90 unidades. O estoque cíclico médio do produto é

Uma medida realizada 2 (duas) vezes gerou o mesmo resultado. Pode-se afirmar que ela teve

Que fenômenos podem ocorrer no fotorresiste negativo após a exposição?

Um passo da fabricação de circuitos integrados é a dopagem de um semicondutor com elementos dos grupos III e VI, a fim de formar uma junção PN. Para fazer isso, pode-se submeter a superfície de um wafer de silício (Si), inicialmente dopado com boro (B) uniformemente distribuído pelo wafer, a uma atmosfera rica em fósforo (P). Aquecendo-se o wafer, o fósforo (P) se difundirá pela superfície até uma profundidade em que a concentração de fósforo (P) e boro (B) seja a mesma. Essa profundidade é conhecida como largura da junção.

Considere um wafer de silício (Si) com concentração de boro (B) de 10¹⁶ átomos/cm3 submetida a uma atmosfera rica em fósforo (P) com concentração igual a 5 x 10¹⁸ átomos por/cm3 a 1000o C de temperatura. Considere ainda que, a 1000º C o coeficiente de difusão do fósforo (P) no silício (Si) é de 1,25 x 10^-14 cm²/s e que a concentração inicial de fósforo (P) na superfície do wafer é igual a zero. O tempo, aproximadamente, para que o wafer seja mantido nessas condições para que a largura da junção seja igual a 1 μm será de:

(Utilize a tabela abaixo para valores da função erro).

Z	erf z	Z	erf z
0,0 0,2 0,6 1,0 1,4	0,0000 0,2227 0,6039 0,8427 0,9523	1,6 1,8 2,0 2,6 3,0	0,9763 0,9891 0,9980 0,9998 1,0000

Um sistema de Identificação por Rádio Frequência (RFID – Radio Frequency Identification) é uma inovação tecnológica com um amplo espectro de utilização, nas mais diversas áreas comerciais, industriais, agrícolas, além de outras. A respeito desse sistema, analise as sentenças a seguir:

I) O raio de ação de um sistema de RFID depende somente da potência efetiva irradiada pelo leitor utilizado, sendo independente do tipo de transponder utilizado.

II) A potência da emissão eletromagnética de um leitor de RFID decai linearmente com a distância e existe um valor mínimo de sensibilidade comum para todos os transponders.

Em relação a estas sentenças, pode-se afirmar que: