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Foram encontradas 1.832 questões.

1408013 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Qual alternativa está errada no que tange aos objetivos da automação industrial?
 

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1407986 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A respeito do microscópio de feixe de íons focalizados – FIB – e seu uso em análise de falhas de circuitos integrados, pode-se afirmar, EXCETO:
 

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1407966 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
 

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Assinale a afirmação incorreta a respeito da segurança de redes de computadores:
 

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1407867 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A falta da adesão do fotorresiste em muitas películas da superfície do filme é um problema geralmente encontrado no processamento do silício. A fim de promover a adesão, a superfície da lâmina é tratada com um promotor de adesão como o hexametildisilazano (HMDS, (H3C)3-Si-NH-Si-(CH3)3) antes da aplicação do fotorresiste. Esse tratamento fornece uma boa adesão do fotorresiste para uma variedade de filmes, incluindo o dióxido de silício contendo o fósforo, silício policristalino, nitreto de silício (Si3N4) e o alumínio. O HMDS pode ser aplicado diretamente sobre o substrato ou aplicado em pressão reduzida, em um forno a vácuo, com o objetivo principal de
 

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1407856 Ano: 2012
Disciplina: TI - Banco de Dados
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Quatro níveis de isolamento são definidos em SQL. Assinale a alternativa que identifica os quatro níveis:
 

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1407822 Ano: 2012
Disciplina: Administração Geral
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
O desenho de salários visa à concretização das estratégias de pessoal, por intermédio da realização de alguns objetivos. Corresponde a um objetivo do sistema de remuneração organizacional:
 

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1407798 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?
 

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1407731 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Entalpias de ligação diatômica de YX, em kJ mol-1
Si-F
550 Enunciado 1407731-1 20
Si-Cl
406
Si-Br
370 Enunciado 1407731-2 10
Si-O
470
Si-Si
227
Al-F
664 Enunciado 1407731-3 6
Al-Cl
511,3 Enunciado 1407731-4 0,8
Al-Br
429 Enunciado 1407731-5 6
Al-O
511 Enunciado 1407731-6 3
Al-Al
133 Enunciado 1407731-7 6
  • J. A. Kerr, em CRC Handbook of Chemistry and Physics, D. R. Lide (ed), CRC Press, Boca Raton, Fl, USA, 81st edition, 2000
  • S. Franssila, Introduction to Microfabrication, John Willey & Sons, West Sussex, England, 2004
Temperaturas de ebulição dos produtos de corrosão, em ºC @ 1atm
SiF4
-86
SiCl4
58
SiBr4
153
SiH4
-112
AlF3
1275 d
AlCl3
180
[AlBr3]2
255
AlH3
150 d
d: decomposição
S. Franssila, Introduction to Microfabrication, John Willey & Sons, West Sussex, England, 2004
Em um sistema de corrosão por íons reativos (RIE) estão disponíveis os gases SF6, Cl2 e HBr.
Com a ajuda dos dados apresentados nas tabelas acima, aponte qual é a alternativa correta dentre as seguintes afirmações:
 

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1407722 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
No contexto das ferramentas para aumento da confiabilidade, em especial a FMEA, o evento que impossibilita um sistema ou componente cumprir com sua função no nível especificado ou requerido está relacionada ao conceito de
 

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