Qual das seguintes tarefas não está diretamente relacionada com um testbench?

O código Verilog,a seguir, implementa um circuito digital utilizando uma modelagem

module Add_half(sum, c_out, a, b);
input a, b;
output sum, c_out;
wire c_out_bar;

xor (sum, a, b);
nand (c_out_bar, a, b);
not (c_out, c_out_bar);
endmodule

Em 29 de maio de 2008, foi revogada, através da Portaria GM 262, uma das Normas Regulamentadoras vigentes até então. Marque a opção abaixo que define qual NR foi revogada pela portaria GM 262 e do que ela tratava.

A espectroscopia de infravermelho por transformada de Fourier baseia-se na absorção de energia, na região do infravermelho do espectro eletromagnético, por uma amostra. Essa absorção de energia, com comprimento de onda na faixa do infravermelho,

A medida da razão entre a Precisão e a Tolerância de um equipamento de caracterização é um dos parâmetros críticos para a qualificação de equipamentos de metrologia a serem utilizados em fábricas de semicondutores. Qual dos índices de qualidade para um equipamento de medida é obtido através de medidas realizadas em condições idênticas?

Qual é o objetivo de se realizar uma simulação falhas?

Um equipamento de corrosão por plasma realiza uma etapa de processo com uma densidade de defeitos que somente atinge valores abaixo do máximo permitido se ele sofrer manutenções periódicas a cada 50 horas de processamento. Se a frequência das manutenções for dobrada, sendo realizada a cada 25 horas, resultaria em

Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão.

I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura.

II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais.

III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).

Com relação às aplicações do dióxido de silício, assinale a alternativa INCORRETA.

Para o amplificador diferencial mostrado na figura abaixo, sejam os MOSFETs (transistores de efeito de campo tipo metalóxido- silício), Q1 e Q2, ambos com k’_p(W/L) = 0,175 mA/V², sendo k’_p o parâmetro de transcondutância do processo e W/L a razão de aspecto dos transistores, assuma-se que a fonte de corrente de polarização tenha uma resistência de saída R_SS igual a 2 kΩ. Além disso, sabe-se que as resistências de dreno têm um descasamento de 2%. Pode-se afirmar que a CMRR (common mode rejection ratio – taxa de rejeição em ganho comum) obtida com a saída tomada diferencialmente será igual a