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Foram encontradas 1.832 questões.

1392209 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Considere o circuito de espelho de corrente representado na figura abaixo. Os comprimentos dos canais dos 2 (dois) transistores são iguais, mas a largura do canal de Q2 é o quádruplo da largura de canal de Q1. Se a corrente de referência IREF é igual a 20 μA, e os transistores estão operando com um excesso de tensão de 0,3 V, a corrente de saída IO e o valor mínimo admissível da tensão de saída VO para a operação normal da fonte de corrente são, respectivamente
Enunciado 1392209-1
 

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1392196 Ano: 2012
Disciplina: Auditoria
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Os testes substantivos subdividem-se em
 

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1392167 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Qual das alternativas contém as duas principais características de uma linha de transmissão?
 

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1392153 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Com relação ao nível de automação nas indústrias de produção discreta, correlacione a coluna da esquerda com a coluna da direita.
Enunciado 1392153-1
A combinação entre as duas colunas apresenta a seguinte sequência:
 

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1392034 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Matérias-primas alternativas como, por exemplo, Germânio e o Arseneto de Gálio, têm sido utilizadas na fabricação de dispositivos semicondutores. Entretanto, o Silício ainda é o material mais popular empregado nessa prática, pois apresenta propriedades físicas que o tornam adequado à fabricação de dispositivos ativos com boas características elétricas. Além disso, o Silício pode ser facilmente oxidado, sendo a oxidação com vapor d’água a mais rápida. Com relação ao produto principal obtido na reação de oxidação do silício com vapor d’água, da equação química exposta abaixo, não é correto afirmar que é
Si + 2H2O SiO2 + 2H2
 

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1392015 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Para a inserção de capacitores em circuitos integrados, alguns tipos de estruturas são possíveis. Um destes tipos é o capacitor MOS. Analisando-se um capacitor MOS, pode-se afirmar que sua capacitância
 

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1391968 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Qual dos métodos abaixo não é um método de afinamento de lâminas utilizado na indústria de semicondutores?
 

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1391943 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Mecânica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Quando, durante a aplicação da Análise de Modo e Efeito de Falha (FMEA), foca-se na forma como o equipamento é mantido e operado, está sendo praticado o seguinte nível de FMEA:
 

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1391905 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Para a realização do clock-gating são utilizadas, principalmente, duas arquiteturas. Uma utilizando apenas uma porta 'AND' (ou 'OR' dependendo da borda de ativação) e outra com a inclusão de um latch, conforme mostrado nas figuras i e ii respectivamente.
Enunciado 1391905-1
Figura I.
Enunciado 1391905-2
Figura II.
Sobre as características de cada topologia pode-se afirmar:
 

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1391872 Ano: 2012
Disciplina: TI - Redes de Computadores
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Um estudante abre o navegador e digita o endereço http://www.meusite.com. Quando ele pressionar a tecla “Enter”, uma série de operações de rede será desencadeada. Quando a página, que é texto puro, estiver totalmente carregada, terão sido utilizados, para esta tarefa, os protocolos
 

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