Após a leitura, identifique a afirmação correta:

Após a leitura do enunciado apresentado a seguir, identifique a afirmação correta:

A figura resultante da projeção cilíndrica ortogonal do objeto sobre um plano de referência, em desenho técnico, denomina-se:

No circuito a seguir, os valores do equivalente de Norton em relação aos terminais a e b são respectivamente:

No circuito a seguir, os valores do equivalente de Thévenin em relação aos terminais a e b são respectivamente:

Analisando as características dos transistores de efeito de campo (TEC), tipo Junção, é correto afirmar:

Simplificando a expressão booleana S = + + + + ABC, chega-se ao seguinte resultado:

Com relação às características gerais do esquema de aterramento TN, assinale a única alternativa INCORRETA:

Verifique as seguintes alternativas relacionadas a disjuntores de baixa tensão:

I. Os disjuntores possuem pelo menos dois níveis de proteção: contra sobrecorrentes pequenas e moderadas, por meio de disparadores eletromagnéticos ou térmicos.

II. Os disjuntores termomagnéticos são usualmente classificados em três categorias: lentos, rápidos e limitadores.

III. Um disparador eletromagnético é temporizado, quando o movimento da armadura promove a atuação instantânea do disjuntor, que se dá após um tempo de retardo.

IV. A corrente nominal de um disjuntor (automático) é igual à corrente nominal de seu disparador-série, como tal entendido o valor da corrente que pode circular pelo disparador-série, mantendo suas características, por tempo indeterminado, sem que ele atue.

A seqüência correta é:

Assinale a única alternativa que determina a diferença entre um transistor tipo JFET (Junction Field-Effect Transistor) e um transistor bipolar:

Com relação à polarização do transistor, analise as seguintes alternativas:

I. A polarização direta no diodo emissor controla o número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior VBE, maior o número de elétrons injetados.

II. A polarização reversa no diodo coletor tem muita influência no número de elétrons que entram no coletor. Aumentando-se VCB tornase menos inclinada a barreira de energia do coletor.

III. A tensão de ruptura não depende da largura da camada de depleção e dos níveis de dopagem.

IV. Aumentando-se V_CB a polarização reversa do diodo coletor aumenta a largura do canal p, o que equivale a uma diminuição na resistência de espalhamento da base.

A seqüência correta é: