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Foram encontradas 70 questões.

1717530 Ano: 2004
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A fabricação de dispositivos e circuitos integrados emprega uma variedade de procedimentos de transformação de superfícies, entre os quais aqueles destinados à agregação (deposição) de materiais na superfície de um substrato. Também são empregados procedimentos de remoção seletiva de camadas de materiais. A conjugação de procedimentos de deposição e de remoção seletiva de camadas viabiliza a definição da estrutura dos dispositivos e das conexões entre eles, constituindo circuitos integrados. Com relação a esse assunto, julgue os seguintes itens.

A técnica da pulverização catódica (sputtering) pode ser empregada tanto para a deposição quanto para a remoção de materiais na tecnologia microeletrônica.

 

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1717529 Ano: 2004
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A fabricação de dispositivos e circuitos integrados emprega uma variedade de procedimentos de transformação de superfícies, entre os quais aqueles destinados à agregação (deposição) de materiais na superfície de um substrato. Também são empregados procedimentos de remoção seletiva de camadas de materiais. A conjugação de procedimentos de deposição e de remoção seletiva de camadas viabiliza a definição da estrutura dos dispositivos e das conexões entre eles, constituindo circuitos integrados. Com relação a esse assunto, julgue os seguintes itens.

Nos processos de crescimento de camadas epitaxiais, fatores como a geometria do reator, o transporte de massa em seu interior e o perfil de temperaturas são críticos para a produção de filmes de qualidade.

 

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1717528 Ano: 2004
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A fabricação de dispositivos e circuitos integrados emprega uma variedade de procedimentos de transformação de superfícies, entre os quais aqueles destinados à agregação (deposição) de materiais na superfície de um substrato. Também são empregados procedimentos de remoção seletiva de camadas de materiais. A conjugação de procedimentos de deposição e de remoção seletiva de camadas viabiliza a definição da estrutura dos dispositivos e das conexões entre eles, constituindo circuitos integrados. Com relação a esse assunto, julgue os seguintes itens.

A qualidade do óxido de silício produzido por deposição CVD é superior à do produzido por oxidação térmica do silício devido aos defeitos de superfície associados às altas temperaturas utilizadas na oxidação térmica.

 

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1717527 Ano: 2004
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A fabricação de dispositivos e circuitos integrados emprega uma variedade de procedimentos de transformação de superfícies, entre os quais aqueles destinados à agregação (deposição) de materiais na superfície de um substrato. Também são empregados procedimentos de remoção seletiva de camadas de materiais. A conjugação de procedimentos de deposição e de remoção seletiva de camadas viabiliza a definição da estrutura dos dispositivos e das conexões entre eles, constituindo circuitos integrados. Com relação a esse assunto, julgue os seguintes itens.

A redução progressiva das dimensões dos dispositivos nos circuitos integrados da atualidade tem levado a um incremento no uso de procedimentos de deposição por CVD, em comparação com os procedimentos de deposição por plasma-CVD, devido às mais baixas temperaturas de operação utilizadas nos processos CVD.

 

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1717526 Ano: 2004
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A análise de materiais e dispositivos adotados pelas tecnologias da informação demanda, pela complexidade inerente às dimensões das estruturas de interesse situadas em escalas micro e nanoscópicas, a construção de modelos matemáticos e de procedimentos de tratamento da informação especialmente dedicados a esse fim. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

A estimação da incerteza associada a um conjunto de dados experimentais somente pode ser realizada com segurança quando se dispõe de um número suficiente de amostras independentes.

 

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1717525 Ano: 2004
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A análise de materiais e dispositivos adotados pelas tecnologias da informação demanda, pela complexidade inerente às dimensões das estruturas de interesse situadas em escalas micro e nanoscópicas, a construção de modelos matemáticos e de procedimentos de tratamento da informação especialmente dedicados a esse fim. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

No desenvolvimento de processos de fabricação ou de procedimentos de caracterização, as técnicas de planejamento experimental podem contribuir para a minimização do número de ensaios necessários.

 

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1717524 Ano: 2004
Disciplina: Física
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A análise de materiais e dispositivos adotados pelas tecnologias da informação demanda, pela complexidade inerente às dimensões das estruturas de interesse situadas em escalas micro e nanoscópicas, a construção de modelos matemáticos e de procedimentos de tratamento da informação especialmente dedicados a esse fim. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

O emprego de procedimentos de transformação funcional possibilita a recuperação de informações, minimizando o ruído, nas análises espectroscópicas de materiais e dispositivos para as tecnologias da informação.

 

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1717523 Ano: 2004
Disciplina: Física
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A análise de materiais e dispositivos adotados pelas tecnologias da informação demanda, pela complexidade inerente às dimensões das estruturas de interesse situadas em escalas micro e nanoscópicas, a construção de modelos matemáticos e de procedimentos de tratamento da informação especialmente dedicados a esse fim. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

A modelagem dos mecanismos de transporte de carga elétrica em dispositivos de escala nanoscópica requer o uso de métodos estatísticos, que considerem a natureza quântica dos portadores de carga e de suas interações com o meio onde eles se deslocam.

 

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1717522 Ano: 2004
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

A microscopia eletrônica de varredura por tunelamento (STM) é um procedimento não-destrutivo de análise de superfícies, cujas características de resolução espacial e sensibilidade são particularmente adequadas às tecnologias VLSI e às nanotecnologias.

 

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1717521 Ano: 2004
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI
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A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.

A combinação de procedimentos elétricos e ópticos de caracterização permite a identificação de falhas em circuitos integrados de alta densidade, acelerando o processo de caracterização.

 

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