O circuito ilustrado na figura acima, constituído de um transistor bipolar de junção (TBJ), é um arranjo típico para amplificação de sinais. Esse transistor, quando devidamente polarizado para fins de amplificação, possui ganho de corrente dado por !$ \beta !$ = h_FE = 150, e tensão entre base e emissor dada por V_BE = 0,7 V. Com base nessas informações, julgue o item que se segue.

Estando as junções emissor-base e coletor-base diretamente polarizadas, então o transistor operará no modo de saturação. Nesse caso, o ganho de corrente poderá ser inferior a 150.

O circuito ilustrado na figura acima, constituído de um transistor bipolar de junção (TBJ), é um arranjo típico para amplificação de sinais. Esse transistor, quando devidamente polarizado para fins de amplificação, possui ganho de corrente dado por !$ \beta !$ = h_FE = 150, e tensão entre base e emissor dada por V_BE = 0,7 V. Com base nessas informações, julgue o item que se segue.

O transistor empregado é do tipo npn. Para operação no modo ativo, a junção emissor-base deve estar diretamente polarizada, enquanto a junção coletor-base deve estar reversamente polarizada.

Considere que o circuito RLC paralelo ilustrado acima seja excitado por um gerador de corrente alternada (c.a.) cuja amplitude é dada pela expressão i(t) = Icos(!$ \omega !$t + i!$ \oslash !$) [A], e que a frequência de operação (!$ \omega !$) desse gerador ajustável. Com base nessas informações, julgue o item a seguir.

A razão entre as amplitudes das tensões no indutor L₁ (v_L1) e no indutor L₂ (V_L2) é corretamente expressa por !$ { \large v_{L1} \over L_{L2}} = { \large L_2 \over L_1} !$.

Considere que o circuito RLC paralelo ilustrado acima seja excitado por um gerador de corrente alternada (c.a.) cuja amplitude é dada pela expressão i(t) = Icos(!$ \omega !$t + i!$ \oslash !$) [A], e que a frequência de operação (!$ \omega !$) desse gerador ajustável. Com base nessas informações, julgue o item a seguir.

Na ressonância, as correntes que fluem no capacitor e nos indutores possuem a mesma amplitude de pico e a mesma freqüência, porém estão defasadas de 90º.

Considere que o circuito RLC paralelo ilustrado acima seja excitado por um gerador de corrente alternada (c.a.) cuja amplitude é dada pela expressão i(t) = Icos(!$ \omega !$t + i!$ \oslash !$) [A], e que a frequência de operação (!$ \omega !$) desse gerador ajustável. Com base nessas informações, julgue o item a seguir.

A impedância vista pelo gerador é máxima na ressonância e corresponde a Z = R.

Considere que o circuito RLC paralelo ilustrado acima seja excitado por um gerador de corrente alternada (c.a.) cuja amplitude é dada pela expressão i(t) = Icos(!$ \omega !$t + i!$ \oslash !$) [A], e que a frequência de operação (!$ \omega !$) desse gerador ajustável. Com base nessas informações, julgue o item a seguir.

A frequência de ressonância do circuito RLC paralelo em questão é dada por !$ { \large 1 \over 2 \pi} \sqrt{ { \large 1 \over R(L_1 + L_2) C}} !$.

Considere que o circuito RLC paralelo ilustrado acima seja excitado por um gerador de corrente alternada (c.a.) cuja amplitude é dada pela expressão i(t) = Icos(!$ \omega !$t + i!$ \oslash !$) [A], e que a frequência de operação (!$ \omega !$) desse gerador ajustável. Com base nessas informações, julgue o item a seguir.

Em geral, a impedância (Z) vista pela gerador de corrente depende da frequência de operação e dos valores de resistência, indutâncias e capacitância do circuito.

Um diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico implementado a partir da união metalúrgica entre materiais semicondutores dos tipos n e p. Por ser um dispositivo com característica elétrica fortemente não-linear, o diodo pode operar em condução ou em corte, resultando em diversas aplicações de interesse. A relação corrente-tensão (i(t) × v(t)) para um diodo em plena condução pode ser aproximada pela expressão !$ i(t) = I_S\,exp { \begin{bmatrix} { \large v(t) \over nV_T} \end{bmatrix}} !$, em que IS é a corrente de saturação, V_T é a tensão térmica e n é uma constante empírica. Com respeito às propriedades de um diodo semicondutor, julgue o seguinte item.

O circuito externo conectado ao diodo deve ser cuidadosamente projetado para limitar a corrente direta do diodo, em caso de condução, e para limitar a tensão reversa do diodo, em caso de corte.

Um diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico implementado a partir da união metalúrgica entre materiais semicondutores dos tipos n e p. Por ser um dispositivo com característica elétrica fortemente não-linear, o diodo pode operar em condução ou em corte, resultando em diversas aplicações de interesse. A relação corrente-tensão (i(t) × v(t)) para um diodo em plena condução pode ser aproximada pela expressão !$ i(t) = I_S\,exp { \begin{bmatrix} { \large v(t) \over nV_T} \end{bmatrix}} !$ , em que IS é a corrente de saturação, V_T é a tensão térmica e n é uma constante empírica. Com respeito às propriedades de um diodo semicondutor, julgue o seguinte item.

A corrente total de um diodo é constituída pelo fluxo de elétrons livres e lacunas que cruzam a junção pn. O fluxo de lacunas pode ser interpretado como sendo o deslocamento orientado de elétrons de valência do cristal semicondutor.

Um diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico implementado a partir da união metalúrgica entre materiais semicondutores dos tipos n e p. Por ser um dispositivo com característica elétrica fortemente não-linear, o diodo pode operar em condução ou em corte, resultando em diversas aplicações de interesse. A relação corrente-tensão (i(t) × v(t)) para um diodo em plena condução pode ser aproximada pela expressão !$ i(t) = I_S\,exp { \begin{bmatrix} { \large v(t) \over nV_T} \end{bmatrix}} !$ , em que IS é a corrente de saturação, V_T é a tensão térmica e n é uma constante empírica. Com respeito às propriedades de um diodo semicondutor, julgue o seguinte item.

Para que o diodo possa conduzir, é necessário que a junção pn esteja diretamente polarizada, ou seja, o terminal correspondente ao material do tipo n deve estar a um potencial mais elevado do que aquele do material do tipo p.