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84015 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

Carbeto de silício, nitrito de alumínio, óxido de berílio e óxido de alumínio são algumas das cerâmicas utilizadas em empacotamento eletrônico.

 

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84014 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

Molibdênio, apesar de não ser um condutor elétrico tão bom quanto o cobre, possui um alto ponto de fusão. Essa característica não o torna apropriado para substratos cerâmicos com vários níveis de interconexões.

 

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84013 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

O alumínio possui resistividade elétrica maior que a prata e o cobre, o que o torna menos compatível com empacotamento de aplicações de alta velocidade.

 

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84012 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

O cobre possui valores de condutividade térmica e elétrica muito próximos aos da prata. Entretanto, a prata é de custo mais baixo que o cobre.

 

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84010 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Com relação à linguagem VHDL, julgue o próximo item.

O código abaixo descreve corretamente o funcionamento de um contador de 6 bits com reset síncrono no padrão VHDL93.

entity contador is
port (clk, reset : in bit;
data : out integer range 0 to 63 );
end entity contador;
architecture rtl of contador is
begin
conta : process (clk) is
begin
if rising_edge(clk) then
if reset = '1' then
data <= 0;
else
data <= data + 1;
end if;
end if;
end process conta;
end architecture rtl;

 

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84008 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Com relação à linguagem VHDL, julgue o próximo item.

Um delta cycle em VHDL é um ciclo infinitesimal utilizado para auxiliar na simulação, quando atribuições não especificam um atraso, ou seja, o tempo de simulação não avança. Nesse contexto, o trecho de código abaixo pode levar até 3 delta cycles para atualizar as saídas.

entity full_adder is
port ( x, y, vem: in bit;
s, vai: out bit);
end full_adder;
architecture dataflow of full_adder is
signal a, b, c : bit;
begin
s <= x xor y xor vem;
a <= x and y;
b <= x and vem;
c <= y and vem;
d <= a or b;
vai <= c or d;
end arch;

 

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84007 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Com relação à linguagem VHDL, julgue o próximo item.

Em VHDL, o tipo de dados std_logic pode assumir 9 valores lógicos diferentes, sendo que 4 dos mais utilizados são:

'X' – don't care
'1' – '1' forte
'0' – '0' forte
'Z' – alta impedância

 

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84006 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Com relação à linguagem VHDL, julgue o próximo item.

O trecho abaixo (omitindo-se a declaração da entidade) apresenta uma descrição correta da arquitetura de um multiplexador, que coloca em sua saída sai o sinal input ou o sinal others com o valor 'Z', dependendo do valor do sinal de seleção sel.
architecture arch of a is
begin
sai <= input when (sel = '0')else (others => 'Z');
end arch;

 

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84005 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Enunciado 3350905-1

O diodo pode ser identificado como o elemento não -linear fundamental em circuitos eletrônicos, sendo que a sua aplicação em circuitos retificadores é ampla. Considerando o circuito esquematizado na figura acima e o comportamento esperado dos retificadores de precisão ideal, julgue o item subsequente.

Enunciado 3350905-2

O diodo pode ser identificado como o elemento não -linear fundamental em circuitos eletrônicos, sendo que a sua aplicação em circuitos retificadores é ampla. Considerando o circuito esquematizado na figura acima e o comportamento esperado dos retificadores de precisão ideal, julgue o item subsequente.

Utilizando-se um par de retificadores de precisão, é possível conceber um retificador de onda completa.

 

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84004 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

Enunciado 3350904-1

O diodo pode ser identificado como o elemento não -linear fundamental em circuitos eletrônicos, sendo que a sua aplicação em circuitos retificadores é ampla. Considerando o circuito esquematizado na figura acima e o comportamento esperado dos retificadores de precisão ideal, julgue o item subsequente.

Enunciado 3350904-2

O diodo pode ser identificado como o elemento não -linear fundamental em circuitos eletrônicos, sendo que a sua aplicação em circuitos retificadores é ampla. Considerando o circuito esquematizado na figura acima e o comportamento esperado dos retificadores de precisão ideal, julgue o item subsequente.

Invertendo-se as polaridades do diodo no circuito do retificador ilustrado na figura em apreço, o circuito passa a operar como um circuito limitador.

 

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