Foram encontradas 470 questões.
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material |
condutividade térmica (W/cm.K) |
coeficiente de expansão térmica (10-6 x K-1 ) |
constante dielétrica |
resistência elétrica (!$ \mu \Omega !$. cm) |
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metais: |
||||
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prata |
4,3 | 19,0 | 1,6 | |
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cobre |
4,0 | 17,0 | 1,7 | |
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alumínio |
2,3 | 23,0 | 2,8 | |
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tungstênio |
1,7 | 4,6 | 5,3 | |
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molibdênio |
1,4 | 5,0 | 5,3 | |
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semicondutor: |
||||
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silício |
1,5 | 2,5 | ||
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substratos isolantes: |
11,8 | |||
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carbeto de silício (SiC) |
2,2 | 3,7 | 42,0 | |
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óxido de berílio (BeO) |
2,0 | 6,0 | 6,7 | |
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óxido de alumínio |
0,3 | 6,0 | 9,5 | |
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(AR2O3) |
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dióxido de silício (SiO2) |
0,01 | 0,5 | 3,9 | |
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poliimido |
0,004 | 3,5 | ||
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resina de epóxi |
0,004 | 15,0 | 5,0 |
H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.
Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.
Carbeto de silício, nitrito de alumínio, óxido de berílio e óxido de alumínio são algumas das cerâmicas utilizadas em empacotamento eletrônico.
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material |
condutividade térmica (W/cm.K) |
coeficiente de expansão térmica (10-6 x K-1 ) |
constante dielétrica |
resistência elétrica (!$ \mu \Omega !$. cm) |
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metais: |
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prata |
4,3 | 19,0 | 1,6 | |
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cobre |
4,0 | 17,0 | 1,7 | |
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alumínio |
2,3 | 23,0 | 2,8 | |
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tungstênio |
1,7 | 4,6 | 5,3 | |
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molibdênio |
1,4 | 5,0 | 5,3 | |
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semicondutor: |
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silício |
1,5 | 2,5 | ||
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substratos isolantes: |
11,8 | |||
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carbeto de silício (SiC) |
2,2 | 3,7 | 42,0 | |
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óxido de berílio (BeO) |
2,0 | 6,0 | 6,7 | |
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óxido de alumínio |
0,3 | 6,0 | 9,5 | |
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(AR2O3) |
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dióxido de silício (SiO2) |
0,01 | 0,5 | 3,9 | |
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poliimido |
0,004 | 3,5 | ||
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resina de epóxi |
0,004 | 15,0 | 5,0 |
H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.
Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.
Molibdênio, apesar de não ser um condutor elétrico tão bom quanto o cobre, possui um alto ponto de fusão. Essa característica não o torna apropriado para substratos cerâmicos com vários níveis de interconexões.
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material |
condutividade térmica (W/cm.K) |
coeficiente de expansão térmica (10-6 x K-1 ) |
constante dielétrica |
resistência elétrica (!$ \mu \Omega !$. cm) |
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metais: |
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prata |
4,3 | 19,0 | 1,6 | |
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cobre |
4,0 | 17,0 | 1,7 | |
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alumínio |
2,3 | 23,0 | 2,8 | |
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tungstênio |
1,7 | 4,6 | 5,3 | |
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molibdênio |
1,4 | 5,0 | 5,3 | |
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semicondutor: |
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silício |
1,5 | 2,5 | ||
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substratos isolantes: |
11,8 | |||
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carbeto de silício (SiC) |
2,2 | 3,7 | 42,0 | |
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óxido de berílio (BeO) |
2,0 | 6,0 | 6,7 | |
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óxido de alumínio |
0,3 | 6,0 | 9,5 | |
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(AR2O3) |
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dióxido de silício (SiO2) |
0,01 | 0,5 | 3,9 | |
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poliimido |
0,004 | 3,5 | ||
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resina de epóxi |
0,004 | 15,0 | 5,0 |
H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.
Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.
O alumínio possui resistividade elétrica maior que a prata e o cobre, o que o torna menos compatível com empacotamento de aplicações de alta velocidade.
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material |
condutividade térmica (W/cm.K) |
coeficiente de expansão térmica (10-6 x K-1 ) |
constante dielétrica |
resistência elétrica (!$ \mu \Omega !$. cm) |
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metais: |
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prata |
4,3 | 19,0 | 1,6 | |
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cobre |
4,0 | 17,0 | 1,7 | |
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alumínio |
2,3 | 23,0 | 2,8 | |
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tungstênio |
1,7 | 4,6 | 5,3 | |
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molibdênio |
1,4 | 5,0 | 5,3 | |
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semicondutor: |
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silício |
1,5 | 2,5 | ||
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substratos isolantes: |
11,8 | |||
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carbeto de silício (SiC) |
2,2 | 3,7 | 42,0 | |
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óxido de berílio (BeO) |
2,0 | 6,0 | 6,7 | |
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óxido de alumínio |
0,3 | 6,0 | 9,5 | |
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(AR2O3) |
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dióxido de silício (SiO2) |
0,01 | 0,5 | 3,9 | |
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poliimido |
0,004 | 3,5 | ||
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resina de epóxi |
0,004 | 15,0 | 5,0 |
H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.
Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.
O cobre possui valores de condutividade térmica e elétrica muito próximos aos da prata. Entretanto, a prata é de custo mais baixo que o cobre.
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Com relação à linguagem VHDL, julgue o próximo item.
O código abaixo descreve corretamente o funcionamento de um contador de 6 bits com reset síncrono no padrão VHDL93.
entity contador is
port (clk, reset : in bit;
data : out integer range 0 to 63 );
end entity contador;
architecture rtl of contador is
begin
conta : process (clk) is
begin
if rising_edge(clk) then
if reset = '1' then
data <= 0;
else
data <= data + 1;
end if;
end if;
end process conta;
end architecture rtl;
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Com relação à linguagem VHDL, julgue o próximo item.
Um delta cycle em VHDL é um ciclo infinitesimal utilizado para auxiliar na simulação, quando atribuições não especificam um atraso, ou seja, o tempo de simulação não avança. Nesse contexto, o trecho de código abaixo pode levar até 3 delta cycles para atualizar as saídas.
entity full_adder is
port ( x, y, vem: in bit;
s, vai: out bit);
end full_adder;
architecture dataflow of full_adder is
signal a, b, c : bit;
begin
s <= x xor y xor vem;
a <= x and y;
b <= x and vem;
c <= y and vem;
d <= a or b;
vai <= c or d;
end arch;
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Com relação à linguagem VHDL, julgue o próximo item.
Em VHDL, o tipo de dados std_logic pode assumir 9 valores lógicos diferentes, sendo que 4 dos mais utilizados são:
'X' – don't care
'1' – '1' forte
'0' – '0' forte
'Z' – alta impedância
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Com relação à linguagem VHDL, julgue o próximo item.
O trecho abaixo (omitindo-se a declaração da entidade) apresenta uma descrição correta da arquitetura de um multiplexador, que coloca em sua saída sai o sinal input ou o sinal others com o valor 'Z', dependendo do valor do sinal de seleção sel.
architecture arch of a is
begin
sai <= input when (sel = '0')else (others => 'Z');
end arch;
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O diodo pode ser identificado como o elemento não -linear fundamental em circuitos eletrônicos, sendo que a sua aplicação em circuitos retificadores é ampla. Considerando o circuito esquematizado na figura acima e o comportamento esperado dos retificadores de precisão ideal, julgue o item subsequente.

O diodo pode ser identificado como o elemento não -linear fundamental em circuitos eletrônicos, sendo que a sua aplicação em circuitos retificadores é ampla. Considerando o circuito esquematizado na figura acima e o comportamento esperado dos retificadores de precisão ideal, julgue o item subsequente.
Utilizando-se um par de retificadores de precisão, é possível conceber um retificador de onda completa.
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O diodo pode ser identificado como o elemento não -linear fundamental em circuitos eletrônicos, sendo que a sua aplicação em circuitos retificadores é ampla. Considerando o circuito esquematizado na figura acima e o comportamento esperado dos retificadores de precisão ideal, julgue o item subsequente.

O diodo pode ser identificado como o elemento não -linear fundamental em circuitos eletrônicos, sendo que a sua aplicação em circuitos retificadores é ampla. Considerando o circuito esquematizado na figura acima e o comportamento esperado dos retificadores de precisão ideal, julgue o item subsequente.
Invertendo-se as polaridades do diodo no circuito do retificador ilustrado na figura em apreço, o circuito passa a operar como um circuito limitador.
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Caderno Container