O fato de ânions e cátions possuírem diferentes dinâmicas de adsorção sobre o mesmo substrato é devido à temperatura do mesmo.

As temperaturas dos substratos durante o crescimento por epitaxia por feixe molecular devem ser mantidas abaixo da temperatura de evaporação congruente do composto que se deseja crescer.

O processo de crescimento cristalino por epitaxia por feixe molecular consiste da adsorção dos átomos constituintes, da sua dissociação e migração na superfície e, finalmente, da sua incorporação, resultando no crescimento.

No caso de uma célula solar de junção p-n, é esperado que a corrente de saturação reversa cresça à medida que a célula é iluminada. Isso acontece porque a aplicação de uma polarização reversa diminui a altura da barreira de energia na interface da junção, de modo a facilitar a passagem de corrente.

Ao se examinar a curva corrente-voltagem de uma célula solar, percebe-se que o fator de preenchimento está relacionado diretamente ao valor da resistência em série devida aos contatos ôhmicos finos na superfície da célula. O fator de preenchimento aumenta quando a resistência em série aumenta.

Uma célula solar consiste basicamente de uma junção p-n rasa com contatos ôhmicos finos na superfície. Esses contatos servem para a coleta dos portadores de carga, contudo, eles fornecem uma resistência em série grande, o que, muitas vezes, acarreta diminuição da eficiência da célula.

Apesar de haver uma inclinação nas bandas de energia da junção p-n muito parecida com a inclinação de banda de um diodo polarizado diretamente, os portadores de carga fluem na direção oposta quando a junção é iluminada.

A corrente de um diodo de junção p-n iluminada é composta inteiramente por portadores que se deslocam do lado p para o lado n.

Os requisitos necessários para que um material seja usado para a confecção de células solares de junção p-n são: largura da banda de energia proibida próxima ao valor de energia do espectro solar, portadores de carga com alta mobilidade e baixo tempo de vida.

O valor da tensão de circuito aberto é limitado pelo potencial de contato da junção p-n.