A litografia por feixe de íons focados e o ataque químico seco podem ser acoplados diretamente à câmara de crescimento do sistema de epitaxia por feixe molecular, a fim de reduzir a grande densidade de defeitos na interface durante um recrescimento convencional.

O ataque químico úmido é geralmente usado para a limpeza inicial do substrato, retirando certa quantidade de material por meio de oxidação e remoção do óxido.

A composição química e estrutural de materiais orgânicos ou inorgânicos pode ser determinada por medidas Raman.

Um sistema para medidas de fotoluminescência deve consistir basicamente de: fonte de excitação, criostato com temperatura variável com prendedor de amostra acoplado, espectrômetro de varredura de alta resolução e sistema de detecção.

Fotoluminescência é uma poderosa ferramenta para a caracterização óptica de materiais semicondutores. Utilizando-a, é possível obter-se características de materiais semicondutores, tais como valor da energia da banda proibida, impurezas não-intencionais durante o crescimento do semicondutor e transições entre diferentes níveis de energia.

A fotoluminescência pode ser de dois tipos: fluorescente ou fosforescente, sendo que a primeira é um processo muito rápido e a segunda é um processo mais lento.

O processo de luminescência é chamado de: fotoluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado a partir da injeção de fótons; eletroluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado por elétrons energéticos.

A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.

A adsorção física é caracterizada por um estado precursor fracamente ligado e móvel.

São exemplos de processos de deposição por vapor físico: sublimação, epitaxia por feixe molecular, sputtering e epitaxia por fase vapor.