Foram encontradas 369 questões.
2565239
Ano: 2019
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS
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De acordo com a NR 15, o exercício de trabalho em condições de insalubridade assegura ao trabalhador a percepção de adicional, incidente sobre o salário mínimo de cada região. Conforme os adicionais de insalubridade apresentados na NR 15, marcar C para as afirmativas Certas, E para as Erradas e, após, assinalar a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
(---) 40% para insalubridade de grau máximo.
(---) 30% para insalubridade de grau médio.
(---) 10% para insalubridade de grau mínimo.
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2565238
Ano: 2019
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS
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Assinalar a questão que preenche a lacuna abaixo CORRETAMENTE:
Conforme a NR 10 é considerado o trabalhador previamente qualificado e com registro no competente conselho de classe.
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2565237
Ano: 2019
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS
Disciplina: Segurança e Saúde no Trabalho (SST)
Banca: OBJETIVA
Orgão: FHSTE-RS
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De acordo com a Lei nº 6.514/1977, as empresas, conforme as normas a serem expedidas pelo Ministério do Trabalho, estarão obrigadas a manter serviços especializados em segurança e em medicina do trabalho. Essas normas estabelecerão:
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Ao determinar a expressão característica do circuito da figura abaixo, assinalar a alternativa CORRETA:
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Sobre a eletrônica geral e transistores, analisar os itens abaixo:
I. As quatro regiões de operação distintas de um transistor são: a região ativa, a região de saturação, a região de corte e a região de ruptura. Quando usado como amplificador, ele opera na região ativa. Quando usado em circuitos digitais, ele opera nas regiões de saturação e corte. A região de ruptura é geralmente evitada, porque o transistor corre um risco muito alto de ser danificado.
II. Os transistores para montagem em superfície (SMTs) são encontrados com vários tipos de encapsulamento. Um encapsulamento comum é o tipo asa de gaivota com três terminais simples.
III. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave. A ação de chaveamento é entre o corte e a saturação. Esse tipo de operação é usado nos circuitos digitais. Outro nome para os circuitos de chaveamento é circuitos de dois estados.
IV. A polarização do emissor é praticamente livre das variações no ganho de corrente. O processo de análise da polarização do emissor é feito calculando-se a tensão no emissor, a corrente no emissor, a tensão no coletor e a tensão coletor-emissor.
Estão CORRETOS:
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Converter o número 1D2(base 16) do sistema hexadecimal para o sistema octal. Após, converter o número 7100(base 8) do sistema octal para o sistema hexadecimal. As respostas corretas são, respectivamente:
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Sobre eletrônica geral e semicondutores, analisar os itens abaixo:
I. Um semicondutor é um elemento de valência quatro. Cada átomo de um cristal de silício tem oito elétrons em sua órbita de valência. Num cristal de silício puro, são criados iguais números de lacunas e de elétrons livres pela energia térmica. Os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. Ocasionalmente, um elétron livre se aproxima de uma lacuna, é atraído e capturado. Essa união de um elétron livre com uma lacuna é chamada recombinação.
II. O tempo entre a geração de um elétron livre e seu desaparecimento é chamado tempo de vida. Ele varia de alguns nanossegundos até vários microssegundos, dependendo da perfeição do cristal e de outros fatores.
III. Um semicondutor intrínseco é um semicondutor puro. Um cristal será um semicondutor intrínseco se todos os átomos do cristal forem de silício. Na temperatura ambiente, um cristal de silício comporta-se como um isolante aproximadamente.
IV. Uma forma de aumentar a condutibilidade de um semicondutor é pela dopagem. Isso significa adicionar impurezas aos átomos de um cristal intrínseco para alterar sua condutibilidade elétrica. Um semicondutor dopado é chamado semicondutor extrínseco.
V. Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de elétrons livres ou um excesso de lacunas. O silício que foi dopado com uma impureza pentavalente é chamado semicondutor tipo n. Um silício que foi dopado com uma impureza trivalente é chamado semicondutor tipo p.
Estão CORRETOS:
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Sobre eletrônica geral e diodos, analisar os itens abaixo:
I. Os diodos têm tensões nominais máximas. Existe um limite do valor e tensão reversa que um diodo pode suportar antes de ser destruído. A tensão de ruptura de um diodo depende do nível de dopagem. Com os diodos retificadores, a tensão de ruptura é geralmente maior que 50V.
II. O diodo é um dispositivo não linear. Ele tem uma barreira de potencial produzida por camada de depleção. Acima da tensão de joelho, a corrente no diodo aumenta rapidamente. Uma vez vencida a barreira de potencial, tudo o que impede a corrente é a resistência das regiões p e n, que formam a chamada resistência de corpo do diodo.
III. A resistência de corpo do diodo depende do nível de dopagem e das dimensões das regiões p e n. Tipicamente, a resistência de corpo de um diodo retificador é menor que 1Ω. O diodo ideal funciona como uma chave que fecha quando diretamente polarizada e abre quando reversamente polarizada.
Estão CORRETOS:
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Se uma corrente de 2A passar através de um medidor durante 1 minuto, quantos Coulombs passam pelo medidor neste mesmo intervalo de tempo?
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O circuito abaixo já está ligado há um período de tempo muito longo. De acordo com as informações apresentadas, a corrente elétrica total é de, aproximadamente:
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