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Foram encontradas 120 questões.

1750664 Ano: 2007
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

A microscopia de ponta de prova é de grande utilidade na funcionalização de superfícies.

 

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1750663 Ano: 2007
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Julgue os itens subseqüentes, referentes às propriedades de filmes finos.

Os mecanismos de transporte de carga elétrica em filmes condutores finos independem da temperatura.

 

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1750662 Ano: 2007
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Julgue os itens subseqüentes, referentes às propriedades de filmes finos.

As propriedades de absorção e transmissão ópticas de um filme fino dependem da espessura do mesmo.

 

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1750661 Ano: 2007
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Julgue os itens subseqüentes, referentes às propriedades de filmes finos.

Na oxidação térmica de lâminas de silício, ocorre a difusão do silício da lâmina, através do óxido nativo, para reagir com o agente oxidante.

 

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1750660 Ano: 2007
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Acerca da formação de filmes por deposição química em fase vapor (CVD), julgue os itens a seguir.

As taxas de deposição obtidas por CVD são bem inferiores às obtidas por PVD, nas tecnologias VLSI (very large scale integration).
 

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1750659 Ano: 2007
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Acerca da formação de filmes por deposição química em fase vapor (CVD), julgue os itens a seguir.

Os processos de CVD permitem uma excelente cobertura de degrau pelo filme depositado.

 

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1750658 Ano: 2007
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Julgue os itens a seguir, relativos ao crescimento epitaxial de filmes. 71

O processo de crescimento epitaxial pode ser realizado com o emprego de processos de PVD ou de deposição química em fase vapor (CVD).

 

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1750657 Ano: 2007
Disciplina: Química
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Julgue os itens a seguir, relativos ao crescimento epitaxial de filmes. 71

O processo de crescimento epitaxial é tipicamente empregado na formação de filmes policristalinos.

 

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1750656 Ano: 2007
Disciplina: Física
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Acerca da formação de filmes finos por deposição física em fase vapor (PVD), julgue os itens subseqüentes.

O controle de deposição no processo de pulverização catódica (sputtering) é superior ao obtido no processo de evaporação.

 

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1750655 Ano: 2007
Disciplina: Física
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INMETRO

Acerca da formação de filmes finos por deposição física em fase vapor (PVD), julgue os itens subseqüentes.

O processo de evaporação por aquecimento, via radiofreqüência, apresenta uma baixa taxa de deposição, quando comparado ao processo de deposição por aquecimento resistivo.

 

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