Observe o circuito abaixo.

Analise o circuito acima, calcule os valores das tensões em V₁, V₂ e V₃, e assinale a opção correta.

A diferença básica entre memória tipo A e B é a capacidade de reutilização que as do tipo B possuem (podem ser apagadas e:reescreverem dados) e que as do tipo A não possuem (só podem ser escritas uma única: vez). Assim, assinale a opção que apresenta as memórias A e B, respectivamente.

“Sua principal função é fornecer espaço temporário de armazenamento para dados e programas que estão em uso ou sendo executados no momento." Essa definição refere-se a que tipo de memória?

Considerando as equações lógicas X.(Y + Z) e X.(Y.Z), ao se aplicarem, respectivamente, as propriedades distributiva e associativa, da Álgebra Booleana, sobre elas o resultado será:

No processo de dopagem para fabricação de placas e dispositivos eletrônicos, a impureza é realizada fundindo-se o silício com impurezas. Após esse processo, em relação ao material p, é correto afirmar que:

Observe o circuito abaixo.

Determine a capacitância total do circuito, vista entre os pontos A e B, e assinale a opção correta.

De acordo com a eletrônica digital, a soma do número binário 10101 com o número binário 10010 é igual ao número decimal:

Assinale a opção que apresenta a correta identificação dos símbolos-padrão relacionados abaixo:

O diodo é formado pela junção p-n. Considerando a condição de polarização do dispositivo e as características decorrentes dessa alimentação, assinale a opção correta.

Considere um processo em que um material semicondutor impuro com 20 bilhões de átomos de silício é submetido à dopagem com átomos pentavalentes na quantidade de 25 milhões. Esse processo resulta em um material impuro ou extrínseco com aproximadamente: