No caso de materiais isolantes, a banda de energia dos elétrons da camada de valência está separada da banda de energia da camada de condução por uma grande lacuna (gap) de energia, denominada banda proibida.

Considere que a resistência de contato associada a determinado conector seja medida por meio de tensões de medição próximas de 0 volt. Nessa situação, se for observada uma relação quadrática entre a corrente e a tensão, então este é um contato ôhmico, em que a corrente é diretamente proporcional à área do contato entre os dois metais.

Se um campo magnético uniforme e em sentido e direção únicos for aplicado a um material semicondutor do tipo P, no qual as lacunas se deslocam em uma direção perpendicular ao campo magnético, as lacunas sofrerão deflexão de módulo proporcional à intensidade do campo magnético e independente da velocidade das lacunas. Nessa situação, a deflexão ocorrerá na mesma direção do campo magnético.

Caso um transistor bipolar do tipo NPN funcione na região ativa, a junção base-emissor deverá ser polarizada diretamente e a coletor-base, reversamente.

Em um transistor bipolar do tipo NPN, a base é composta, geralmente, por material do tipo P. A concentração de lacunas na base é muito maior que a concentração de elétrons livres no emissor, maximizando a recombinação na base. Ainda para maximizar a recombinação na base, busca-se garantir que a base tenha a maior largura possível. Esse aumento da recombinação resulta no aumento do β (beta) do transistor, que é uma característica geralmente desejada em transistores bipolares.

Considere que um multímetro que permite testar transistores bipolares esteja sendo usado no modo de medição de resistência para o teste de um transistor do tipo NPN. Nessa situação, caso a ponta de prova com maior potencial seja colocada na base do transistor e a de menor potencial, no emissor, a resistência medida será muito menor do que a resistência medida ao se colocar a ponta de prova com menor potencial na base e a de maior potencial, no emissor — assumindo-se que o transistor não esteja danificado.

Materiais cuja permeabilidade magnética (μr) corresponde a 1 são classificados como materiais magnéticos, ao passo que os materiais que não possuem essa permeabilidade são classificados como não magnéticos.

A difusão e a deriva são os mecanismos responsáveis pela movimentação de lacunas e elétrons em um cristal de silício. A deriva está associada ao movimento aleatório dos elétrons e das lacunas, em decorrência da agitação térmica, e, por isso, a corrente de deriva é diretamente proporcional ao gradiente de concentração de portadores. Por outro lado, a corrente de difusão de elétrons ou de lacunas é diretamente proporcional à intensidade do campo elétrico.

Um cristal de silício intrínseco possui uma estrutura com organização atômica regular em que os átomos são mantidos em suas posições por ligações covalentes, formadas por quatro elétrons de valência. Em temperaturas suficientemente baixas, todas as ligações covalentes permanecem completas, porém, à temperatura ambiente, algumas ligações covalentes são rompidas pela ionização térmica, bem como alguns elétrons são libertados.

medida que ocorre a ionização térmica, ocorre a criação de elétrons e lacunas. Em um cristal de silício intrínseco, a concentração de elétrons livres por centímetro cúbico é diretamente proporcional ao quadrado da temperatura, enquanto a concentração de lacunas é inversamente proporcional à raiz quadrada da temperatura.