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Foram encontradas 100 questões.

3015671 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Podemos repetir a medição proposta na questão 66 com um multímetro analógico e obteríamos o mesmo resultado pois para o teste de diodos não há diferenças significativas entre o arranjo de ambos os equipamentos no que diz respeito a lógica utilizada para medição de diodos.

 

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3015670 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Para o transistor em questão podemos identificar o coletor através de um teste simples de continuidade para a sua carcaça (parte metálica do transistor ao qual se é conectado o dissipador) pois ambos estão interconectados.

 

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3015669 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Suponha que devemos realizar identificação de transistores bipolares utilizando o multímetro digital ajustado na escala de teste para diodos de acordo com a ilustração a seguir:

Enunciado 3209978-1

Para identificarmos o terminal de base devemos testar dois a dois (cada pino) e nos dois sentidos (invertendo-se ponteiras preta e vermelha), os terminais de um transistor. Quando encontramos uma alta resistência entre dois terminais, com as ponteiras de uma forma ou do outra, o terminal que sobrou é a base.

 

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3015668 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Podemos implementar um retificador monofásico de onda completa com apenas 2 diodos

 

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3015667 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Em uma situação onde computadores desktop estão expostos a um grau elevado de material particulado, entrada de corpos estranhos e acúmulo de sujeira em geral como parte da manutenção preventiva, podemos realizar a limpeza de elementos como placa mãe, memórias e processador utilizando água e detergente neutro de maneira a remover, de forma mais eficiente, grandes quantidades de sujeira de placas de circuito impresso. Há, contudo, a ressalva de que devemos nos assegurar da secagem completa destes componentes antes da remontagem e energização do sistema.

 

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3015666 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Já um transistor PMOS tipo enriquecimento opera na região de triodo e saturação seguindo os seguintes niveis relativos de tensão:

Enunciado 3209965-1

 

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3015665 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Temos o Transistor NMOS tipo enriquecimento apresenta os seguintes níveis relativos de tensão em seus terminais para as regiões de corte e saturação

Enunciado 3209964-1

 

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3015612 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Em metais, um elétron torna-se livre quando passa a ocupar um estado de energia disponível acima de Ef (energia de Fermi). No sistema internacional tem-se que como consequência que condutividade elétrica dos metais em função da magnitude de cargas |e| = 1,602x10-19 C

 

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3015611 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

A condutividade elétrica é uma importante propriedade que permite classificar os materiais em condutores e isolantes. A unidade de condutividade elétrica p é dada por em ohms por metro no sistema internacional, p Ω. m ;

 

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3015610 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: IDECAN
Orgão: UFBA

Para o caso de uma rede ótica desbalanceada, utilizando Splitters assimétricos logo em seu primeiro nível, temos uma solução de rede mais flexível que podemos adaptar a rede de forma específica para determinadas situações como é o caso por exemplo de regiões menos densamente populosas como zonas rurais.

 

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