Caso retirássemos R_f do circuito, e inseríssemos em vi uma onda quadrada simétrica de 20 V pico- a-pico, com valor médio nulo teríamos na saida v_o uma onda triangular.

O ganho K do arranjo é dado por !$ K = { \large -R_f \over R} !$.

A adição de Rf faz com que o polo esteja localizado na frequência de canto !$ \omega_0 = { \large 1 \over R_f C} !$.

Podemos repetir a medição proposta na questão 66 com um multímetro analógico e obteríamos o mesmo resultado pois para o teste de diodos não há diferenças significativas entre o arranjo de ambos os equipamentos no que diz respeito a lógica utilizada para medição de diodos.

Para o transistor em questão podemos identificar o coletor através de um teste simples de continuidade para a sua carcaça (parte metálica do transistor ao qual se é conectado o dissipador) pois ambos estão interconectados.

Suponha que devemos realizar identificação de transistores bipolares utilizando o multímetro digital ajustado na escala de teste para diodos de acordo com a ilustração a seguir:

Para identificarmos o terminal de base devemos testar dois a dois (cada pino) e nos dois sentidos (invertendo-se ponteiras preta e vermelha), os terminais de um transistor. Quando encontramos uma alta resistência entre dois terminais, com as ponteiras de uma forma ou do outra, o terminal que sobrou é a base.

Podemos implementar um retificador monofásico de onda completa com apenas 2 diodos

Em uma situação onde computadores desktop estão expostos a um grau elevado de material particulado, entrada de corpos estranhos e acúmulo de sujeira em geral como parte da manutenção preventiva, podemos realizar a limpeza de elementos como placa mãe, memórias e processador utilizando água e detergente neutro de maneira a remover, de forma mais eficiente, grandes quantidades de sujeira de placas de circuito impresso. Há, contudo, a ressalva de que devemos nos assegurar da secagem completa destes componentes antes da remontagem e energização do sistema.

Já um transistor PMOS tipo enriquecimento opera na região de triodo e saturação seguindo os seguintes niveis relativos de tensão:

Temos o Transistor NMOS tipo enriquecimento apresenta os seguintes níveis relativos de tensão em seus terminais para as regiões de corte e saturação