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3406515 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-RS
Orgão: IF-RS

Para o amplificador transistorizado com transistor bipolar de junção na figura a seguir:

Enunciado 3900355-1

Considerando o β =20, VBE = 0,7V e VCEsat = 200mV empregando a análise exata, isto é, sem desprezar a corrente de base, o valor aproximado da corrente de coletor IC e o valor aproximado da tensão entre coletor e emissor VCE são:

 

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3406514 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-RS
Orgão: IF-RS

Em relação ao funcionamento do transistor bipolar de junção (BJT), analise as afirmativas identificando com ”V” as VERDADEIRAS e com “F” as FALSAS assinalando a seguir a alternativa CORRETA, na sequência de cima para baixo:

( ) Em um transistor bipolar, estando a junção emissor-base diretamente polarizada e a junção coletor-base está reversamente polarizada, verificamos que a corrente de emissor IE é igual a soma da corrente de coletor IC com a corrente de base IB.

( ) Em um transistor bipolar na configuração base-comum, na região de corte a corrente de emissor IE é igual a zero, sendo que a corrente de coletor deve-se exclusivamente à corrente de saturação reversa ICBO.

( ) No modo de operação CC do transistor bipolar, os valores da corrente de coletor IC e da corrente de emissor IE estão relacionados por uma quantidade chamada alfa (α) que é definida por α = IE/IC.

( ) No modo CC de operação do transistor bipolar, os valores da corrente de coletor IC e da corrente de base IB estão relacionados por uma quantidade chamada beta (β) que é definida como β = IC/IB.

( ) Em um transistor bipolar na configuração emissor-comum, na região de corte a corrente de emissor IE é igual a zero, sendo que a corrente de base deve-se exclusivamente à corrente de saturação reversa ICBO.

 

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3406513 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-RS
Orgão: IF-RS

A figura (a) a seguir apresenta um circuito com diodo semicondutor ideal que possui um resistor R e uma fonte de corrente contínua com tensão V volt, sendo que na entrada vi do circuito é aplicada uma forma de onda senoidal cujo valor de pico é Vm volts.

Enunciado 3900353-1

Figura a

E considerando as formas de onda a seguir:

Enunciado 3900353-2

Forma de onda 1

Enunciado 3900353-3

Forma de onda 2

Enunciado 3900353-4

Forma de onda 3

Enunciado 3900353-5

Forma de onda 4

Enunciado 3900353-6

Forma de onda 5

A forma de onda CORRETA na saída vo do circuito é a:

 

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3406512 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-RS
Orgão: IF-RS

Em relação aos efeitos da temperatura para o diodo semicondutor, são feitas as seguintes afirmações:

I. Na região de polarização direta, a curva característica de um diodo de silício desvia-se para a esquerda a uma taxa de 2,5mV/°C.

II. Na região de polarização reversa, a corrente de um diodo de silício dobra a cada elevação de 20°C na temperatura.

III. A tensão de ruptura reversa de um diodo semicondutor pode aumentar ou diminuir em função da temperatura.

Assinale a alternativa em que toda(s) a(s) afirmativa(s) está(ão) CORRETA(S):

 

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3406511 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-RS
Orgão: IF-RS

Em relação às afirmações sobre os materiais tipo p e n utilizados na fabricação dos semicondutores:

I. Os semicondutores tipo p e n são obtidos a partir do silício intrínseco com a adição de impurezas, sendo que o silício tipo n é obtido a partir da adição de um dopante pentavalente, tornando o material eletricamente negativo enquanto que o silício tipo p é obtido pela adição de um dopante trivalente, tornando o material eletricamente positivo.

II. Em relação aos portadores majoritários e minoritários, em um material tipo n o número de lacunas não se altera significativamente a partir do nível intrínseco, ao passo que em material tipo p, o número de lacunas é muito maior que o número de elétrons.

III. A adição de impurezas afeta a condutividade relativa devido aos elétrons livres no semicondutor tipo n e das lacunas no semicondutor tipo p, sendo que isso pode ser explicado pelo critério das bandas de energia, onde verifica-se que há a diminuição da banda proibida em ambos os casos.

Assinale a alternativa em que toda(s) a(s) afirmativa(s) está(ão) CORRETA(S):

 

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3157459 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFG
Orgão: SANEAGO
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Durante o estudo e projeto de um filtro ou amplificador são empregadas várias ferramentas de análise e representação gráfica da resposta do filtro. Uma dessas técnicas é conhecida como Diagrama de Bode, onde são representados:

 

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3157458 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFG
Orgão: SANEAGO
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Os sistemas de telecomunicações empregam filtros seletivos em frequência para a redução de ruído e equalização de sinais. Estes filtros são sistemas

 

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3157457 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFG
Orgão: SANEAGO
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A porta lógica que apresenta a operação booleana !$ Y = AB + \bar{A}\bar{B} !$ é denominada porta

 

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3157456 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFG
Orgão: SANEAGO
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O circuito mostrado a seguir é a representação de uma porta lógica com transistores bipolares de junção.

Enunciado 3490567-1

Qual é a porta lógica representada pelo circuito?

 

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3157455 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFG
Orgão: SANEAGO
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A figura a seguir mostra um circuito lógico com entrada [A B C D] e saída [Y Z].

Enunciado 3490566-1

Qual é a saída [Y Z] para uma entrada [1 0 1 0]?

 

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