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Foram encontradas 13.430 questões.

Respondida

3082433 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Processos Industriais

Quais os regimes de fluxo em um sistema de vácuo?

A

Regime mecânico, regime molecular e regime iônico.

B

Regime molecular, regime iônico e regime sublimiar.

C

Regime mecânico, regime médio e regime iônico.

D

Regime viscoso, regime de limiar e regime molecular.

E

Regime viscoso, regime de Knudsen (ou transição) e regime molecular.

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Qual o problema da questão?

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Respondida

3082432 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Processos Industriais

A fabricação em superfície pode ser compatível com os processos CMOS. Quais os requisitos para que isso ocorra?

A

Os processos não podem utilizar KOH.

B

Os processos devem ocorrer a temperaturas menores que 400°C.

C

Todas as etapas devem ser aditivas.

D

Não pode ser utilizada a implantação iônica.

E

Não pode ser utilizada a corrosão modo RIE (Reactive Ion Etching).

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Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082431 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Processos Industriais

Como é possível obter estruturas verticais na microfabricação em silício de MEMs utilizando KOH ?

A

Não é possível obtê-las nessas condições.

B

Utilizando KOH em concentração de 20%.

C

Utilizando KOH com isopropanol.

D

Orientando a estrutura na direção <110>.

E

Esta estrutura é sempre obtida com KOH.

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Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082430 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Processos Industriais

O processo de CVD térmico compreende que etapas principais?

A

Geração do material reativo, adsorção das espécies na superfície, reações superficiais, desorção dos produtos reativos, remoção de materiais não reagidos.

B

Transporte do material reativo, adsorção das espécies na superfície, desorção dos produtos reativos, remoção de materiais não reagidos.

C

Transporte do material reativo, difusão das espécies na superfície, reações superficiais, desorção dos produtos reativos, remoção de materiais não reagidos.

D

Transporte do material reativo, adsorção das espécies na superfície, reações superficiais, desorção dos produtos reativos, remoção de materiais não reagidos.

E

Desorção dos produtos reativos, Transporte do material reativo, adsorção das espécies na superfície, reações superficiais, remoção de materiais não reagidos.

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Respondida

3082429 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Qual a principal técnica utilizada para definir o cobre em linha de interconexão em dispositivos submicrométricos?

A

Litografia Lift-off.

B

Corrosão por plasma.

C

Corrosão química úmida com solução a base de HCl.

D

Corrosão química úmida com solução a base de HF.

E

Corrosão química úmida com solução a base de NH₄OH.

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Mensagem

Respondida

3082428 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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O que é a técnica de Ball grid array?

A

Sistema de conexão de transistores em uma CPU.

B

Tradicional técnica de litografia por silk screen.

C

Técnica de encapsulamento em que os pinos são esferas de solda, muito utilizado em CPUs.

D

Técnica de integração em nanotecnologia com nano tubos de carbono.

E

Método de endereçamento em CIs.

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Respondida

3082427 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Métodos InstrumentaisEspectroscopia de UV-VIS

Quais os principais requisitos para os materiais de encapsulamento de circuitos integrados?

A

Baixo custo, alta condutividade elétrica, baixa capacitância parasitária, facilidade de fabricação.

B

Isolação elétrica, conformável, impermeável, baixa temperatura de fabricação e coeficiente de expansão térmica próximo aos outros materiais do CI.

C

Baixo custo, fácil deposição, alta isolação térmica, facilidade de desmoldagem.

D

Baixa isolação elétrica, alta capacitância, baixa temperatura de fusão, facilidade de integração.

E

Resistência química, resistência mecânica, alto desempenho, baixo custo.

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3082426 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Métodos InstrumentaisOutros Métodos Instrumentais

Quais as vantagens de utilizar dispositivos SAW em Tags RFID?

A

Necessitam de pequenas fontes de energia e têm baixo custo.

B

São facilmente fabricáveis e têm baixo custo.

C

Não apresentam vantagens em relação aos sistemas atuais.

D

São completamente passivos, robustos à radiação (RX e Gama).

E

São completamente sintonizáveis e reutilizáveis.

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Respondida

3082425 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Ciência dos Materiais

Qual a maior dificuldade observada na fabricação de LCD com baixo tempo de resposta, alto contraste e alta resolução de imagem?

A

Alto custo do cristal líquido.

B

Alta viscosidade devido aos campos entre os cristais.

C

Tempo de vida baixo do meio polimérico.

D

Baixa eficiência do sistema de endereçamento.

E

Baixa condutividade do óxido condutor transparente.

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Respondida

3082424 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

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Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
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Ciência dos Materiais

Quais os melhores dopantes para obter lâminas de silício p e n (respectivamente) com alta condutividade?

A

Boro e Arsênio.

B

Arsênio e Fósforo.

C

Fósforo e Arsênio.

D

Antimônio e Boro.

E

Boro e Gálio.

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