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Foram encontradas 1.832 questões.

1372743 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Uma forma de corrigir problemas de violação de hold pode ser o seguinte:
 

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1372636 Ano: 2012
Disciplina: Direito Administrativo
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

De acordo com Lei Federal nº 8666, de 21 de junho de 1993 e alterações, na contratação de fornecimento de energia elétrica e gás natural com concessionário, permissionário ou autorizado, a licitação é

 

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1372630 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Dada uma memória embarcada em um sistemas em chip (SoC) organizada em 210 palavras de 08 bits cada. Quantos ciclos, no mínimo, de leitura e escrita são necessários para detectar a presença de falhas de transição em alguma posição.
 

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1372596 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Visando a definição de um ambiente computacional otimizado para atender um centro de projetos de Circuitos Integrados de grande porte, qual seria o melhor critério para definir políticas de cotas de uso do disco?
 

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1372580 Ano: 2012
Disciplina: Administração Geral
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Elaborados os padrões almejados e toda a documentação do Sistema de Qualidade a ser implantado numa empresa, passa-se à sua efetivação a ser realizada de acordo com o ciclo PDCA, sendo incorreto afirmar que:
 

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1372575 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Civil
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Num ciclo de refrigeração por compressão de vapor, o tubo capilar tem a finalidade de dosar a quantidade de
 

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1372540 Ano: 2012
Disciplina: Direito Administrativo
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

Segundo a lei 9784/99, é correto afirmar sobre a intimação do interessado no processo administrativo que:

 

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1372530 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Assumindo a tensão base-emissor = 0,7 V para o transistor, calcule o valor aproximado da corrente I no circuito abaixo.
Enunciado 1372530-1
 

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1372432 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Uma junção PN é a criação de 2 (duas) regiões, uma de semicondutor tipo P e outra de semicondutor tipo N, em contato direto. Normalmente, é criada através da dopagem controlada de uma região tipo P, criando uma região tipo N, ou viceversa. Com relação a uma junção PN não submetida a campo elétrico, analise as seguintes sentenças:
I) Devido às características dos materiais, surge uma região preenchida por íons chamada de camada de depleção.
II) Em uma junção PN, elétrons livres, que são portadores majoritários do material tipo N, difundem-se através da junção, criando íons positivos no material tipo N e íons negativos no material tipo P.
Assinale a opção correta:
 

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1372429 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Considere um retificador de pico alimentado por uma senoide de 60 Hz tendo um valor de pico Vp = 300 V. Suponha uma resistência de carga R = 200 kΩ. O valor da capacitância C que resultará em uma ondulação de pico a pico de 1 V é o seguinte: (utilize a aproximação: e-1/α ~ 1 – 1/α, onde α é um coeficiente qualquer, e !$ \mathrm{\,\underline\,{"e"}\,} !$ é a base dos logaritmos neperianos)
Enunciado 1372429-1
 

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