O diodo laser é um dispositivo semicondutor que é formado dopando-se uma camada muito fina na superfície de uma lâmina de cristal. O cristal é dopado de forma a produzir uma junção pn.

A geometria do FinFET, que é um dispositivo com dois terminais de porta, é feita com a intenção de reforçar os efeitos provenientes da redução do comprimento do canal.

Em um transistor de efeito de campo nMOS do tipo enriquecimento, como o mostrado na figura abaixo, existirão três regiões de operação: a região de corte, quando V_GS < V_T ; a região linear, quando V_DS < V_GS - V_T ; a região de saturação, quando V_DS > V_GS – V_T , sendo V_T a tensão de limiar do transistor.

São geralmente utilizados como filtros, osciladores e transformadores.

Normalmente, não utilizam transdutores interdigitais para fazer a conversão da energia das ondas em energia elétrica e vice-versa.

Utilizam materiais piezelétricos para fazer a transdução da energia mecânica proveniente das ondas acústicas de superfície em energia elétrica e vice-versa.

Baseiam-se em ondas acústicas de superfície. Nessas ondas, a amplitude da onda decai exponencialmente com a profundidade do substrato.

A maior parte da dissipação de calor não passa pela placa de circuito impresso.

Considerando os sistemas operacionais Windows XP e Linux, julgue o item a seguir.

Ao se clicar o botão Iniciar no Windows XP, e apontar para a opção Documentos recentes, serão apresentados todos os programas instalados no computador.

A espessura de um filme formado pela técnica de spin-coating é diretamente proporcional à velocidade do spin.