Questões do Concurso CTI - FUNRIO - 2012

Magna Concursos

Questões Planos

Entrar

Entrar

Criar Conta

» Questões » CTI - FUNRIO - 2012

Filtros

Disciplina

Tópicos

0

Banca

Órgão

Ano

Dificuldade

Palavras-chave

Escolaridade

Excluir

Anuladas

Desatualizadas

Respondidas

Disciplina

Tópico

Banca

Órgão

Ano

Dificuldade

Escolaridade

Selecione pelo menos um filtro!

1 2 3 4 5 6 7 »

Foram encontradas 240 questões.

Respondida

3082435 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Processos Industriais

Defina o que é um MEMS (Miicro Electrical Mechanichal System).

A

Um dispositivo eletrônico com processamento local.

B

Um sensor integrado e miniaturizado.

C

Um sistema composto de um sensor, processamento básico de sinal com capacidade de autocalibração.

D

É um sinônimo de micromáquinas.

E

É um tipo de sensor utilizado em processos industriais.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082434 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Processos Industriais

O que é o processo LOCOS?

A

Método de fabricação das marcas de alinhamento em máscaras litográficas.

B

Técnica de fabricação de micromáquinas com litografia de Raios X.

C

Sistema de autoalinhamento utilizado durante a difusão de dopantes no silício.

D

Fabricação in-sito da porta do transistor CMOS.

E

Processo de oxidação em que parte do dispositivo é protegido por nitreto de silício que impede a oxidação.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082433 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Processos Industriais

Quais os regimes de fluxo em um sistema de vácuo?

A

Regime mecânico, regime molecular e regime iônico.

B

Regime molecular, regime iônico e regime sublimiar.

C

Regime mecânico, regime médio e regime iônico.

D

Regime viscoso, regime de limiar e regime molecular.

E

Regime viscoso, regime de Knudsen (ou transição) e regime molecular.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082432 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Processos Industriais

A fabricação em superfície pode ser compatível com os processos CMOS. Quais os requisitos para que isso ocorra?

A

Os processos não podem utilizar KOH.

B

Os processos devem ocorrer a temperaturas menores que 400°C.

C

Todas as etapas devem ser aditivas.

D

Não pode ser utilizada a implantação iônica.

E

Não pode ser utilizada a corrosão modo RIE (Reactive Ion Etching).

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082431 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Processos Industriais

Como é possível obter estruturas verticais na microfabricação em silício de MEMs utilizando KOH ?

A

Não é possível obtê-las nessas condições.

B

Utilizando KOH em concentração de 20%.

C

Utilizando KOH com isopropanol.

D

Orientando a estrutura na direção <110>.

E

Esta estrutura é sempre obtida com KOH.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082430 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Processos Industriais

O processo de CVD térmico compreende que etapas principais?

A

Geração do material reativo, adsorção das espécies na superfície, reações superficiais, desorção dos produtos reativos, remoção de materiais não reagidos.

B

Transporte do material reativo, adsorção das espécies na superfície, desorção dos produtos reativos, remoção de materiais não reagidos.

C

Transporte do material reativo, difusão das espécies na superfície, reações superficiais, desorção dos produtos reativos, remoção de materiais não reagidos.

D

Transporte do material reativo, adsorção das espécies na superfície, reações superficiais, desorção dos produtos reativos, remoção de materiais não reagidos.

E

Desorção dos produtos reativos, Transporte do material reativo, adsorção das espécies na superfície, reações superficiais, remoção de materiais não reagidos.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082429 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Qual a principal técnica utilizada para definir o cobre em linha de interconexão em dispositivos submicrométricos?

A

Litografia Lift-off.

B

Corrosão por plasma.

C

Corrosão química úmida com solução a base de HCl.

D

Corrosão química úmida com solução a base de HF.

E

Corrosão química úmida com solução a base de NH₄OH.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082428 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

O que é a técnica de Ball grid array?

A

Sistema de conexão de transistores em uma CPU.

B

Tradicional técnica de litografia por silk screen.

C

Técnica de encapsulamento em que os pinos são esferas de solda, muito utilizado em CPUs.

D

Técnica de integração em nanotecnologia com nano tubos de carbono.

E

Método de endereçamento em CIs.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082427 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Métodos InstrumentaisEspectroscopia de UV-VIS

Quais os principais requisitos para os materiais de encapsulamento de circuitos integrados?

A

Baixo custo, alta condutividade elétrica, baixa capacitância parasitária, facilidade de fabricação.

B

Isolação elétrica, conformável, impermeável, baixa temperatura de fabricação e coeficiente de expansão térmica próximo aos outros materiais do CI.

C

Baixo custo, fácil deposição, alta isolação térmica, facilidade de desmoldagem.

D

Baixa isolação elétrica, alta capacitância, baixa temperatura de fusão, facilidade de integração.

E

Resistência química, resistência mecânica, alto desempenho, baixo custo.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

Respondida

3082426 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CTI

Provas:

Tecnologista Pl. - Processos Físico-Químicos
Provas ×

Métodos InstrumentaisOutros Métodos Instrumentais

Quais as vantagens de utilizar dispositivos SAW em Tags RFID?

A

Necessitam de pequenas fontes de energia e têm baixo custo.

B

São facilmente fabricáveis e têm baixo custo.

C

Não apresentam vantagens em relação aos sistemas atuais.

D

São completamente passivos, robustos à radiação (RX e Gama).

E

São completamente sintonizáveis e reutilizáveis.

Reportar um erro

Provas

Questão presente nas seguintes provas

Qual o problema da questão?

Mensagem

1 2 3 4 5 6 7 »

Cadernos

Caderno Container

Magna Concursos

Fale Conosco
Termos de Uso
Política de Privacidade

Redes Sociais

Instagram
Facebook

Acesse:

+ 3.000.000 de questões
Concursos

© 2025 Magna Concursos

Acessar Criar Conta

Acesse sua Conta

Esqueci minha senha

Ainda não tem conta? Crie uma!

Crie uma Conta

Criar Conta

Olá, para continuar, precisamos criar uma conta!
É rápido e grátis.

Concordo com os Termos de Uso

Já tem uma conta? Acesse aqui